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登録内容 (EID=82628)

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種別 (必須): 学術レター (ショートペーパー) [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
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審査 (推奨): Peer Review [継承]
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学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
著者 (必須): 1. (英) Nishizono Kazuhiro (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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2. (英) Okada Masaya (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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3. (英) Kamei Minoru (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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4. (英) Kikuta Daigo (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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5.富永 喜久雄
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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6.大野 泰夫
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学籍番号 (推奨):
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7.敖 金平 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
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学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Metal/Al-doped ZnO ohmic contact for AlGaN/GaN high electron mobility transistor  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英)   (日) AlGaN/GaN高移動度トランジスタ(HEMT)の電極の低抵抗化を金属電極とAlGaN/GaN間にAl添加ZnOを挿入することで試みた.Al添加ZnOはDCマグネトロンスパッタ法で,Ti/Al/Ni/Auは電子ビーム蒸着法でZnOの上に作製された.ZnOの作製前は試料面はO2プラズマ,HClやNH4OHで処理された.結果は,アニーリングなしの条件で,接触抵抗2.7Ωmmの値を示し,最低の値2.0ΩmmはHCl処理後ZnO膜を作製し,300℃でアニーリングしたときに得られた.   [継承]
キーワード (推奨): 1. (英) ZnO (日) (読) [継承]
2. (英) ohmic contact (日) (読) [継承]
3. (英) AlGaN/GaN (日) (読) [継承]
4. (英) hogh electron mobility transistor (日) (読) [継承]
5. (英) HEMT (日) (読) [継承]
発行所 (推奨): American Institute of Physics [継承]
誌名 (必須): Applied Physics Letters ([American Institute of Physics])
(pISSN: 0003-6951, eISSN: 1077-3118)

ISSN (任意): 0003-6951
ISSN: 0003-6951 (pISSN: 0003-6951, eISSN: 1077-3118)
Title: Applied physics letters
Title(ISO): Appl Phys Lett
Publisher: American Institute of Physics
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(必須): 84 [継承]
(必須): 20 [継承]
(必須): 3996 3998 [継承]
都市 (任意): (英) Melville (日) (読) [継承]
年月日 (必須): 西暦 2004年 5月 初日 (平成 16年 5月 初日) [継承]
URL (任意):
DOI (任意): 10.1063/1.1738175    (→Scopusで検索) [継承]
PMID (任意):
NAID (任意):
WOS (任意): 000221269800014 [継承]
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標準的な表示

和文冊子 ● Kazuhiro Nishizono, Masaya Okada, Minoru Kamei, Daigo Kikuta, Kikuo Tominaga, Yasuo Ohno and Jin-Ping Ao : Metal/Al-doped ZnO ohmic contact for AlGaN/GaN high electron mobility transistor, Applied Physics Letters, Vol.84, No.20, 3996-3998, 2004.
欧文冊子 ● Kazuhiro Nishizono, Masaya Okada, Minoru Kamei, Daigo Kikuta, Kikuo Tominaga, Yasuo Ohno and Jin-Ping Ao : Metal/Al-doped ZnO ohmic contact for AlGaN/GaN high electron mobility transistor, Applied Physics Letters, Vol.84, No.20, 3996-3998, 2004.

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