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登録内容 (EID=81711)

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種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
招待 (推奨):
審査 (推奨): Peer Review [継承]
カテゴリ (推奨):
共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.化学応用工学科.化学プロセス工学講座 [継承]
著者 (必須): 1. (英) Kusakabe Katsuki (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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2. (英) Sobana Akira (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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3. (英) Taniguchi Hirotomo (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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4.外輪 健一郎
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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5. (英) Tsubota Toshiki (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Facet-Selective Growth rates of doped diamond crystals prepared by microwave plasma-assisted chemical vapor deposition  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英)   (日) 高度に配向したダイヤモンド膜を合成するため,2段階成長法がりようされるが,それに重要となるダイヤモンド各面の成長速度を決定した.[111]面の選択的な成長は,高温下,低メタン濃度で実現できることを示した.   [継承]
キーワード (推奨): 1. (英) Diamond (日) (読) [継承]
2. (英) Microwave Plasma (日) (読) [継承]
3. (英) CVD (日) (読) [継承]
4. (英) Epitaxial Growth (日) (読) [継承]
5. (英) Doping (日) (読) [継承]
6. (英) Facet (日) (読) [継承]
発行所 (推奨): (英) The Society of Chemical Engineers, Japan (日) Society of Chemical Engineers (読) [継承]
誌名 (必須): Journal of Chemical Engineering of Japan ([社団法人 化学工学会])
(pISSN: 0021-9592, eISSN: 1881-1299)

ISSN (任意): 0021-9592
ISSN: 0021-9592 (pISSN: 0021-9592, eISSN: 1881-1299)
Title: JOURNAL OF CHEMICAL ENGINEERING OF JAPAN
Supplier: 公益社団法人 化学工学会
Publisher: Society of Chemical Engineers Japan
 (J-STAGE  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
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(必須): 35 [継承]
(必須): 10 [継承]
(必須): 996 1000 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 2002年 10月 1日 (平成 14年 10月 1日) [継承]
URL (任意): http://ci.nii.ac.jp/naid/10010020271/ [継承]
DOI (任意): 10.1252/jcej.35.996    (→Scopusで検索) [継承]
PMID (任意):
NAID (任意): 10010020271 [継承]
WOS (任意):
Scopus (任意):
評価値 (任意):
被引用数 (任意):
指導教員 (推奨):
備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● Katsuki Kusakabe, Akira Sobana, Hirotomo Taniguchi, Ken-Ichiro Sotowa and Toshiki Tsubota : Facet-Selective Growth rates of doped diamond crystals prepared by microwave plasma-assisted chemical vapor deposition, Journal of Chemical Engineering of Japan, Vol.35, No.10, 996-1000, 2002.
欧文冊子 ● Katsuki Kusakabe, Akira Sobana, Hirotomo Taniguchi, Ken-Ichiro Sotowa and Toshiki Tsubota : Facet-Selective Growth rates of doped diamond crystals prepared by microwave plasma-assisted chemical vapor deposition, Journal of Chemical Engineering of Japan, Vol.35, No.10, 996-1000, 2002.

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