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登録内容 (EID=80611)

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種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
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共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
著者 (必須): 1. (英) Li Hong-dong (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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2. (英) Wang Tao (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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3.江 南
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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4. (英) Liu Yu-Huai (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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5. (英) Bai Jie (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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6.酒井 士郎
役割 (任意): (英)   (日) インバージョンドメイン   [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Interaction Between Inversion Domains and InGaN/GaN Multiple Quantum Wells Investigated by Transmission Electron Microscopy  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英)   (日) インバージョンドメインとInGaN/GaN MQWとの相関について議論した.   [継承]
キーワード (推奨):
発行所 (推奨):
誌名 (必須): Journal of Crystal Growth ([Elsevier])
(pISSN: 0022-0248)

ISSN (任意): 0022-0248
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
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(必須): 247 [継承]
(必須): 1-2 [継承]
(必須): 28 34 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 2003年 1月 初日 (平成 15年 1月 初日) [継承]
URL (任意):
DOI (任意): 10.1016/S0022-0248(02)01913-9    (→Scopusで検索) [継承]
PMID (任意):
NAID (任意):
WOS (任意): 000180078300005 [継承]
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被引用数 (任意):
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標準的な表示

和文冊子 ● Hong-dong Li, Tao Wang, Nan Jiang, Yu-Huai Liu, Jie Bai and Shiro Sakai : Interaction Between Inversion Domains and InGaN/GaN Multiple Quantum Wells Investigated by Transmission Electron Microscopy, Journal of Crystal Growth, Vol.247, No.1-2, 28-34, 2003.
欧文冊子 ● Hong-dong Li, Tao Wang, Nan Jiang, Yu-Huai Liu, Jie Bai and Shiro Sakai : Interaction Between Inversion Domains and InGaN/GaN Multiple Quantum Wells Investigated by Transmission Electron Microscopy, Journal of Crystal Growth, Vol.247, No.1-2, 28-34, 2003.

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