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登録内容 (EID=80465)

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○種別 (必須): □学術論文 (審査論文) [継承]
○言語 (必須):
○招待 (推奨):
○審査 (推奨):
○カテゴリ (推奨):
○共著種別 (推奨):
○学究種別 (推奨):
○組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
○著者 (必須): 1.直井 美貴 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所]/[徳島大学.創成科学研究科.理工学専攻.電気電子システムコース(創成科学研究科).物性デバイス講座(創成科学研究科)]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座]/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース.物性デバイス講座]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座])
○役割 (任意): □(英)   (日) 計画，実験，考察，記述   [継承]
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
2. (英) Kurai Satoshi (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
3.酒井 士郎
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
4. (英) Yang Tao (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
5.新谷 義廣
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
○題名 (必須): □(英) Stress Distribution and Dislocation Dynamics in GaAs grown on Si by MOCVD  (日)    [継承]
○副題 (任意):
○要約 (任意): □(英)   (日) フォトルミネッセンス法により，Si基板上に成長したGaAs膜中における転位近くの微視的応力分布を調査した．転位近くに存在する格子変形による圧縮応力が観察された．また，鋭い針により外部応力を印加することにより，転位により生じたフォトルミネッセンス像中の暗点が動き，転位の密度や位置をある程度人為的に操作できることを示した．   [継承]
○キーワード (推奨):
○発行所 (推奨):
○誌名 (必須): □Journal of Crystal Growth ([Elsevier])
(resolved by 0022-0248)
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
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○ISSN (任意):
[継承]
○巻 (必須): □145 [継承]
○号 (必須): □1-4 [継承]
○頁 (必須): □321 325 [継承]
○都市 (任意):
○年月日 (必須): □西暦 1994年 12月 初日 (平成 6年 12月 初日) [継承]
○URL (任意):
○DOI (任意):
○PMID (任意):
○NAID (任意):
○WOS (任意):
○Scopus (任意):
○評価値 (任意):
○被引用数 (任意):
○指導教員 (推奨):
○備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● Yoshiki Naoi, Satoshi Kurai, Shiro Sakai, Tao Yang and Yoshihiro Shintani : Stress Distribution and Dislocation Dynamics in GaAs grown on Si by MOCVD, Journal of Crystal Growth, Vol.145, No.1-4, 321-325, 1994.
欧文冊子 ● Yoshiki Naoi, Satoshi Kurai, Shiro Sakai, Tao Yang and Yoshihiro Shintani : Stress Distribution and Dislocation Dynamics in GaAs grown on Si by MOCVD, Journal of Crystal Growth, Vol.145, No.1-4, 321-325, 1994.

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