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登録内容 (EID=80465)

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種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
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組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
著者 (必須): 1.直井 美貴 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所]/[徳島大学.創成科学研究科.理工学専攻.電気電子システムコース(創成科学研究科).物性デバイス講座(創成科学研究科)]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座]/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース.物性デバイス講座]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座])
役割 (任意): (英)   (日) 計画,実験,考察,記述   [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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2. (英) Kurai Satoshi (日) (読)
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貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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3.酒井 士郎
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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4. (英) Yang Tao (日) (読)
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貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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5.新谷 義廣
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Stress Distribution and Dislocation Dynamics in GaAs grown on Si by MOCVD  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英)   (日) フォトルミネッセンス法により,Si基板上に成長したGaAs膜中における転位近くの微視的応力分布を調査した.転位近くに存在する格子変形による圧縮応力が観察された.また,鋭い針により外部応力を印加することにより,転位により生じたフォトルミネッセンス像中の暗点が動き,転位の密度や位置をある程度人為的に操作できることを示した.   [継承]
キーワード (推奨):
発行所 (推奨):
誌名 (必須): Journal of Crystal Growth ([Elsevier])
(resolved by 0022-0248)
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
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ISSN (任意):
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(必須): 145 [継承]
(必須): 1-4 [継承]
(必須): 321 325 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 1994年 12月 初日 (平成 6年 12月 初日) [継承]
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標準的な表示

和文冊子 ● Yoshiki Naoi, Satoshi Kurai, Shiro Sakai, Tao Yang and Yoshihiro Shintani : Stress Distribution and Dislocation Dynamics in GaAs grown on Si by MOCVD, Journal of Crystal Growth, Vol.145, No.1-4, 321-325, 1994.
欧文冊子 ● Yoshiki Naoi, Satoshi Kurai, Shiro Sakai, Tao Yang and Yoshihiro Shintani : Stress Distribution and Dislocation Dynamics in GaAs grown on Si by MOCVD, Journal of Crystal Growth, Vol.145, No.1-4, 321-325, 1994.

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