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登録内容 (EID=74933)

EID=74933EID:74933, Map:0, LastModified:2007年12月28日(金) 19:28:21, Operator:[大家 隆弘], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[[教務委員会委員]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科]], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 工学研究科 (授業概要) [継承]
入学年度 (必須): 西暦 2003年 (平成 15年) [継承]
名称 (必須): (英) Advanced Electronic and Optoelectronic Devices (日) 光·電子デバイス工学 (読) ひかりでんしでばいすこうがく
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コース (必須): 1.2003/[徳島大学.工学研究科.電気電子工学専攻]/[博士前期課程] [継承]
担当教員 (必須): 1.酒井 士郎
肩書 (任意):
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2.西野 克志 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
肩書 (任意):
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単位 (必須): 2 [継承]
目的 (必須):
概要 (必須): (英) Light amplification phenomena in semiconductors and its application to semiconductor lasers are described. Physics lying behind light guiding and light amplification in a double-heterostructure are explained. A lecture schedule is as follows. 1. Light guiding phenomena in a multiple layer stack, 2. VB curves and an effective refractive index, 3. Einstein's relation and black body radiation in a semiconductor, 4. Light absorption, spontaneous emission and stimulated emission in a semiconductor, 5. Transition matrix and density of state, 6. Various model calculation of light amplification, 7. Light amplification and laser, 8. Optimum designing of a semiconductor laser, 9. Various fabrication method of a semiconductor laser, 10. Summary.  (日) 半導体における光増幅現象とその半導体レーザへの応用,半導体の物性が光利得に及ぼす影響について講義する.ダブルヘテロ構造におけるキャリアと光の閉じこめの定量的な解析,利得ガイドと屈折率ガイドを利用したストライプレーザ,さらには量子効果半導体レーザについて解説する.講義の各段階でレポートを課し,成績評価の一部とする.講義の予定は以下の通り. 1.誘電体多層構造における光の閉じこめと光導波 2.v-bカーブと有効屈折率 3.半導体におけるアインシュタインの関係式と黒体幅射 4.半導体の光吸収,自然放出と誘導放出 5.半導体における遷移行列と状態密度 6.半導体における光利得の種々のモデル計算 7.光利得と半導体レーザ 8.半導体レーザの最適設計 9.半導体レーザの作製方法 10.まとめ   [継承]
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