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登録内容 (EID=73763)

EID=73763EID:73763, Map:0, LastModified:2007年8月1日(水) 12:30:44, Operator:[日下 一也], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[日下 一也], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 国際会議 [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
招待 (推奨):
審査 (推奨):
カテゴリ (推奨): 研究 [継承]
共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.機械工学科.生産システム講座 [継承]
2.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
著者 (必須): 1.日下 一也 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.機械科学系.生産工学分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.機械科学コース.生産工学講座])
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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2.英 崇夫
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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3.富永 喜久雄
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Measurement of Crystal Orientation and Residual Stress in GaN Film Deposited by RF Sputtering with Powder Target  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英)   (日) 本論文は,RFスパッタリング法で作製したGaN膜についてX線的に特性評価したものである.GaNの低温スパッタリング技術の研究として,スパッタリングシステムを用いて(0001)単結晶サファイア基板上に堆積した窒化ガリウム(GaN)試料を作成した.この試料の結晶配向性と残留応力をX線回折法により調べた.高周波スパッタリングシステムは,不純物による汚染を防ぐために孤立した堆積室を持ち,高純度窒化膜を生成することが期待できる.いろいろな基板温度,一定のガス圧,一定の供給電力でGaN膜を堆積した.このシステムにより,基板面法線方向にGaN結晶のc軸が優先配向し,良い結晶配向性を有するGaN膜の生成することがわかった.高温で堆積した膜の結晶サイズは,低TSで生成したものよりも大きくなる.残留応力は圧縮であり,堆積温度の上昇と共に減少することがわかった.   [継承]
キーワード (推奨):
発行所 (推奨):
誌名 (必須): (英) Proceedings of the Seventh International Symposium on Sputtering and Plasma Process (日) (読)
ISSN (任意):
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(必須):
(必須):
(必須): 157 160 [継承]
都市 (必須): 金沢 (Kanazawa/[日本国]) [継承]
年月日 (必須): 西暦 2003年 6月 11日 (平成 15年 6月 11日) [継承]
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WOS (任意):
Scopus (任意):
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被引用数 (任意):
指導教員 (推奨):
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標準的な表示

和文冊子 ● Kazuya Kusaka, Takao Hanabusa and Kikuo Tominaga : Measurement of Crystal Orientation and Residual Stress in GaN Film Deposited by RF Sputtering with Powder Target, Proceedings of the Seventh International Symposium on Sputtering and Plasma Process, (巻), (号), 157-160, Kanazawa, June 2003.
欧文冊子 ● Kazuya Kusaka, Takao Hanabusa and Kikuo Tominaga : Measurement of Crystal Orientation and Residual Stress in GaN Film Deposited by RF Sputtering with Powder Target, Proceedings of the Seventh International Symposium on Sputtering and Plasma Process, (巻), (号), 157-160, Kanazawa, June 2003.

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