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登録内容 (EID=73761)

EID=73761EID:73761, Map:0, LastModified:2012年9月13日(木) 17:17:22, Operator:[大家 隆弘], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[日下 一也], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
招待 (推奨):
審査 (推奨): Peer Review [継承]
カテゴリ (推奨): 研究 [継承]
共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.機械工学科.生産システム講座 [継承]
2.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
著者 (必須): 1. (英) Inoue Shozo (日) 井上 正三 (読) いのうえ しょうぞう
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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2.富永 喜久雄
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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3. (英) Howson P Ronald (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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4.日下 一也 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.機械科学系.生産工学分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.機械科学コース.生産工学講座])
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Effects of Nitrogen Pressure and Ion Flux on the Properties of Direct Current Reactive Magnetron Sputtered Zr-N Films  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英) Zr-N films have been deposited by direct current reactive magnetron sputtering using a plasma emission monitoring (PEM) control system, where a signal proportional to the light emitted by the sputtered Zr in the plasma created by the electrical discharge was used to control the admission of the reactive nitrogen into the system. The Zr line set point for PEM control, φ, was used as a parameter; as the partial pressure of nitrogen rises the Zr line emission falls due to target poisoning. The influence of the nitrogen partial pressure on the Zr-N film structure, reflectivity, resistivity, and internal stress was investigated. The effect of ion flux during film deposition on the film properties was also investigated. The Zr-N films deposited at the Zr line set point φ=60%-70% revealed the minimum resistivity and gold-like reflectivity spectra. These films showed a ZrN single phase. The internal stress of the films showed a maximum at φ=60%-70%, which corresponds to the condition for depositing minimum resistivity films. The external magnetic field scarcely affected the optical and the electrical properties of the deposited Zr-N films. The internal stress of the films deposited at the lower φ (higher nitrogen partial pressure) was only dependent on the ion flux.  (日) 本論文は,表面保護膜や装飾用,拡散バリアなどの用途を持つ窒化ジルコン膜を,金属ジルコンターゲットをアルゴン窒素の混合ガス中で反応性スパッタを行い作製する際,PEM法といわれる手法で行ったものである.この手法は,ターゲット表面の窒化物生成の割合を一定に保つようにして膜作製ができ,安定な条件設定が可能である.組成比の評価から,化学量論的窒化ジルコン膜は窒素分圧の非常に狭い範囲の制御で作製可能なことを示した.また,膜の抵抗率,内部応力についても評価を行い,これらへのプラズマの影響について調べた.   [継承]
キーワード (推奨):
発行所 (推奨):
誌名 (必須): Journal of Vacuum Science & Technology A (American Vacuum Society/[American Institute of Physics])
(resolved by 0734-2101)
ISSN: 0734-2101 (pISSN: 0734-2101, eISSN: 1520-8559)
Title: Journal of vacuum science & technology. A, Vacuum, surfaces, and films : an official journal of the American Vacuum Society
Title(ISO): J Vac Sci Technol A
Publisher: American Institute of Physics
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
(resolved by 1520-8559)
ISSN: 0734-2101 (pISSN: 0734-2101, eISSN: 1520-8559)
Title: Journal of vacuum science & technology. A, Vacuum, surfaces, and films : an official journal of the American Vacuum Society
Title(ISO): J Vac Sci Technol A
Publisher: American Institute of Physics
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])

ISSN (任意):
[継承]
(必須): A13 [継承]
(必須): 6 [継承]
(必須): 2808 2813 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 1995年 11月 初日 (平成 7年 11月 初日) [継承]
URL (任意): http://adsabs.harvard.edu/abs/1995JVST...13.2808I [継承]
DOI (任意):
PMID (任意):
NAID (任意):
WOS (任意):
Scopus (任意):
評価値 (任意):
被引用数 (任意):
指導教員 (推奨):
備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● Shozo Inoue, Kikuo Tominaga, Ronald P Howson and Kazuya Kusaka : Effects of Nitrogen Pressure and Ion Flux on the Properties of Direct Current Reactive Magnetron Sputtered Zr-N Films, Journal of Vacuum Science & Technology A, Vol.A13, No.6, 2808-2813, 1995.
欧文冊子 ● Shozo Inoue, Kikuo Tominaga, Ronald P Howson and Kazuya Kusaka : Effects of Nitrogen Pressure and Ion Flux on the Properties of Direct Current Reactive Magnetron Sputtered Zr-N Films, Journal of Vacuum Science & Technology A, Vol.A13, No.6, 2808-2813, 1995.

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