『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
ID: Pass:

登録内容 (EID=73760)

EID=73760EID:73760, Map:0, LastModified:2013年8月27日(火) 11:54:13, Operator:[三木 ちひろ], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[日下 一也], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
招待 (推奨):
審査 (推奨): Peer Review [継承]
カテゴリ (推奨): 研究 [継承]
共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
2.徳島大学.工学部.機械工学科.生産システム講座 [継承]
著者 (必須): 1.富永 喜久雄
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
2.日下 一也 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.機械科学系.生産工学分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.機械科学コース.生産工学講座])
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
3. (英) Chong Mufei (日) (読)
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
4.英 崇夫
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
5.新谷 義廣
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
題名 (必須): (英) Film Degradation in AlN Preparation by Facing Target System  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英) In AlN films prepared by the facing target system, a decrease in degree of c-axis orientation, film coloring and film cracking or peeling from the substrate were observed. This film degradation is thought to be related to insulative films in general. In order to clarify how these phenomena are induced, we prepared samples under various sputtering conditions; i.e., by changing target holders, placing a ground mesh in front of the substrate and using a positively biased electrode. It is confirmed that plasma exposure severely influences c-axis orientation of AlN films. To decrease this influence, it is important that electrons flow adequately into the anode.  (日) 対向ターゲットシステムにより用意したAlN膜には,c軸配向性の悪化,膜の着色,割れ,基板からの剥離が観察された.この膜汚染は一般に絶縁膜に関係すると考えられている.これらの現象を解明するために,我々は種々のスパッタリング条件,すなわち,ターゲットホルダーの改造,基板前方にアースされた網の設置および正のバイアス電極の使用によって試料を準備した.プラズマ露光がAlN膜のc軸配向性に厳密に影響することが確認された.この影響を減少するために電子を適当に陽極へ流すことが重要である.   [継承]
キーワード (推奨):
発行所 (推奨):
誌名 (必須): Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes) ([応用物理学会])
(resolved by 0021-4922)
ISSN: 0021-4922 (pISSN: 0021-4922, eISSN: 1347-4065)
Title: Japanese journal of applied physics (2008)
Title(ISO): Jpn J Appl Phys (2008)
Supplier: 社団法人応用物理学会
Publisher: Japan Society of Applied Physics
 (NLM Catalog  (Webcat Plus  (Webcat Plus  (Webcat Plus  (Scopus  (Scopus  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
(resolved by 1347-4065)
ISSN: 0021-4922 (pISSN: 0021-4922, eISSN: 1347-4065)
Title: Japanese journal of applied physics (2008)
Title(ISO): Jpn J Appl Phys (2008)
Supplier: 社団法人応用物理学会
Publisher: Japan Society of Applied Physics
 (NLM Catalog  (Webcat Plus  (Webcat Plus  (Webcat Plus  (Scopus  (Scopus  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])

ISSN (任意):
[継承]
(必須): 33 [継承]
(必須): 9B [継承]
(必須): 5235 5239 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 1994年 9月 初日 (平成 6年 9月 初日) [継承]
URL (任意):
DOI (任意):
PMID (任意):
NAID (任意):
WOS (任意):
Scopus (任意):
評価値 (任意):
被引用数 (任意):
指導教員 (推奨):
備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● Kikuo Tominaga, Kazuya Kusaka, Mufei Chong, Takao Hanabusa and Yoshihiro Shintani : Film Degradation in AlN Preparation by Facing Target System, Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.33, No.9B, 5235-5239, 1994.
欧文冊子 ● Kikuo Tominaga, Kazuya Kusaka, Mufei Chong, Takao Hanabusa and Yoshihiro Shintani : Film Degradation in AlN Preparation by Facing Target System, Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.33, No.9B, 5235-5239, 1994.

関連情報

Number of session users = 0, LA = 2.38, Max(EID) = 360929, Max(EOID) = 966657.