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種別 (必須): 学術レター (ショートペーパー) [継承]
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組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
著者 (必須): 1. (英) Lee Young-Bae (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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2. (英) Wang Tao (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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3. (英) Liu Yu-Huai (日) (読)
役割 (任意):
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学籍番号 (推奨):
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4.敖 金平 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
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学籍番号 (推奨):
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5. (英) Li Hong-Dong (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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6. (英) Sato Hisao (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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7.西野 克志 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
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学籍番号 (推奨):
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8.直井 美貴 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所]/[徳島大学.創成科学研究科.理工学専攻.電気電子システムコース(創成科学研究科).物性デバイス講座(創成科学研究科)]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座]/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース.物性デバイス講座]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座])
役割 (任意): (英)   (日) 考察   [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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9.酒井 士郎
役割 (任意): (英)   (日) Gaの効果   [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Fabrication of high-output-power AlGaN/GaN-based UV-light-emitting diode using a Ga droplet layer  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英)   (日) GaドロップレットをはさみこみLEDの効率が改善した.Gaにより,その回りが歪みがあるようである.その歪みにより効率が改善する.   [継承]
キーワード (推奨): 1. (英) ultraviolet (UV) (日) (読) [継承]
2. (英) light-emitting diode (LED) (日) (読) [継承]
3. (英) AlGaN (日) (読) [継承]
4. (英) GaN (日) (読) [継承]
5. (英) optical output power (日) (読) [継承]
6. (英) Ga droplet layer (日) (読) [継承]
発行所 (推奨): (英) The Japan Society of Applied Physics (日) 社団法人応用物理学会 (読) [継承]
誌名 (必須): Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters) ([応用物理学会])
ISSN (任意): 0021-4922
ISSN: 0021-4922 (pISSN: 0021-4922, eISSN: 1347-4065)
Title: Japanese journal of applied physics (2008)
Title(ISO): Jpn J Appl Phys (2008)
Supplier: 社団法人応用物理学会
Publisher: Japan Society of Applied Physics
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(必須): 41 [継承]
(必須): 10A [継承]
(必須): L1037 L1039 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 2002年 10月 1日 (平成 14年 10月 1日) [継承]
URL (任意): http://ci.nii.ac.jp/naid/110006350816/ [継承]
DOI (任意): 10.1143/JJAP.41.L1037    (→Scopusで検索) [継承]
PMID (任意):
NAID (任意): 110006350816 [継承]
WOS (任意): 000179893800005 [継承]
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被引用数 (任意):
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標準的な表示

和文冊子 ● Young-Bae Lee, Tao Wang, Yu-Huai Liu, Jin-Ping Ao, Hong-Dong Li, Hisao Sato, Katsushi Nishino, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai : Fabrication of high-output-power AlGaN/GaN-based UV-light-emitting diode using a Ga droplet layer, Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters), Vol.41, No.10A, L1037-L1039, 2002.
欧文冊子 ● Young-Bae Lee, Tao Wang, Yu-Huai Liu, Jin-Ping Ao, Hong-Dong Li, Hisao Sato, Katsushi Nishino, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai : Fabrication of high-output-power AlGaN/GaN-based UV-light-emitting diode using a Ga droplet layer, Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters), Vol.41, No.10A, L1037-L1039, 2002.

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