『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
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登録内容 (EID=373254)

EID=373254EID:373254, Map:0, LastModified:2021年1月14日(木) 14:51:14, Operator:[富田 卓朗], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[富田 卓朗], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
組織 (推奨): 1.徳島大学.大学院社会産業理工学研究部 (2017年4月1日〜) [継承]
研究者 (必須): 1.富田 卓朗 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座]) [継承]
種別 (必須): 1.国内 [継承]
出資団体 (必須): 名古屋大学 [継承]
予算名 (必須): (英) (日) 名古屋大学 未来材料・システム研究所 (読) [継承]
予算名2 (推奨): (英) (日) 2020年度共同利用・共同研究 (読) [継承]
番号 (推奨):
課題 (必須): (英)   (日) フェムト秒レーザー照射による金属/GaN界面制御に関する研究   [継承]
要約 (任意):
金額 (推奨): 1.300.0千円 [継承]
期間 (必須): 西暦 2020年 4月 1日 (令和 2年 4月 1日) 〜西暦 2021年 2月 28日 (令和 3年 2月 28日) [継承]
備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● 富田 卓朗 : 名古屋大学, 名古屋大学 未来材料・システム研究所・2020年度共同利用・共同研究, フェムト秒レーザー照射による金属/GaN界面制御に関する研究, 2020年4月〜2021年2月.
欧文冊子 ● Takuro Tomita : Nagoya University, 名古屋大学 未来材料・システム研究所2020年度共同利用・共同研究, フェムト秒レーザー照射による金属/GaN界面制御に関する研究, April 2020-Feb. 2021.

関連情報

Number of session users = 0, LA = 0.62, Max(EID) = 375726, Max(EOID) = 1006734.