『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
登録内容 (EID=366667)
| EID=366667 | EID:366667,
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LastModified:2020年8月22日(土) 20:37:25,
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| ○種別 (必須): | □ | 学術論文 (審査論文)
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| ○言語 (必須): | □ | 英語
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| ○招待 (推奨): |
| ○審査 (推奨): |
| ○カテゴリ (推奨): |
| ○共著種別 (推奨): | □ | 国際共著 (徳島大学内研究者と国外研究機関所属研究者との共同研究)
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| ○学究種別 (推奨): |
| ○組織 (推奨): |
| ○著者 (必須): | 1. | (英) Pu Taofei (日) 蒲 涛飞 (読) ほ とうひ
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): | □ | ****
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| 2. | (英) Li Xiaobo (日) 李 小波 (読) り しょうは
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): | □ | ****
| [ユーザ] |
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| 3. | (英) Peng Taowei (日) (読)
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): |
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| 4. | (英) Xie Tian (日) 謝 天 (読) しゃ てん
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): | □ | ****
| [ユーザ] |
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| 5. | (英) Li Liuan (日) (読)
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): |
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| 6. | 敖 金平 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): |
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| ○題名 (必須): | □ | (英) Influence of metal-insulator-semiconductor gate structure on normally-off P-GaN heterojunction field effect transistors (日)
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| ○副題 (任意): |
| ○要約 (任意): |
| ○キーワード (推奨): |
| ○発行所 (推奨): |
| ○誌名 (必須): | □ | Journal of Crystal Growth ([Elsevier])
(pISSN: 0022-0248)
| ○ISSN (任意): | □ | 0022-0248
ISSN: 0022-0248
(pISSN: 0022-0248) Title: Journal of crystal growthTitle(ISO): J Cryst GrowthPublisher: Elsevier BV (NLM Catalog)
(Scopus)
(CrossRef)
(Scopus information is found. [need login]) | [継承] |
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| ○巻 (必須): | □ | 532
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| ○号 (必須): | □ |
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| ○頁 (必須): | □ | 125395-1 125395-5
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| ○都市 (任意): |
| ○年月日 (必須): | □ | 西暦 2020年 2月 15日 (令和 2年 2月 15日)
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| ○URL (任意): | □ | https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2019.125395
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| ○DOI (任意): | □ | 10.1016/j.jcrysgro.2019.125395 (→Scopusで検索)
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| ○PMID (任意): |
| ○NAID (任意): |
| ○WOS (任意): |
| ○Scopus (任意): | □ | 2-s2.0-85076255416
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| ○評価値 (任意): |
| ○被引用数 (任意): |
| ○指導教員 (推奨): | 1. | 敖 金平 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
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| ○備考 (任意): |
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標準的な表示
| 和文冊子 ● |
Taofei Pu, Xiaobo Li, Taowei Peng, Tian Xie, Liuan Li and Jin-Ping Ao : Influence of metal-insulator-semiconductor gate structure on normally-off P-GaN heterojunction field effect transistors, Journal of Crystal Growth, Vol.532, 125395-1-125395-5, 2020. |
| 欧文冊子 ● |
Taofei Pu, Xiaobo Li, Taowei Peng, Tian Xie, Liuan Li and Jin-Ping Ao : Influence of metal-insulator-semiconductor gate structure on normally-off P-GaN heterojunction field effect transistors, Journal of Crystal Growth, Vol.532, 125395-1-125395-5, 2020. |
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