『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
ID: Pass:

登録内容 (EID=366667)

EID=366667EID:366667, Map:0, LastModified:2020年8月22日(土) 20:37:25, Operator:[大家 隆弘], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[敖 金平], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
招待 (推奨):
審査 (推奨):
カテゴリ (推奨):
共著種別 (推奨): 国際共著 (徳島大学内研究者と国外研究機関所属研究者との共同研究) [継承]
学究種別 (推奨):
組織 (推奨):
著者 (必須): 1. (英) Pu Taofei (日) 蒲 涛飞 (読) ほ とうひ
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨): **** [ユーザ]
[継承]
2. (英) Li Xiaobo (日) 李 小波 (読) り しょうは
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨): **** [ユーザ]
[継承]
3. (英) Peng Taowei (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
4. (英) Xie Tian (日) 謝 天 (読) しゃ てん
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨): **** [ユーザ]
[継承]
5. (英) Li Liuan (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
6.敖 金平 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
題名 (必須): (英) Influence of metal-insulator-semiconductor gate structure on normally-off P-GaN heterojunction field effect transistors  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意):
キーワード (推奨):
発行所 (推奨):
誌名 (必須): Journal of Crystal Growth ([Elsevier])
(pISSN: 0022-0248)

ISSN (任意): 0022-0248
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
[継承]
[継承]
(必須): 532 [継承]
(必須): [継承]
(必須): 125395-1 125395-5 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 2020年 2月 15日 (令和 2年 2月 15日) [継承]
URL (任意): https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2019.125395 [継承]
DOI (任意): 10.1016/j.jcrysgro.2019.125395    (→Scopusで検索) [継承]
PMID (任意):
NAID (任意):
WOS (任意):
Scopus (任意): 2-s2.0-85076255416 [継承]
評価値 (任意):
被引用数 (任意):
指導教員 (推奨): 1.敖 金平 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座]) [継承]
備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● Taofei Pu, Xiaobo Li, Taowei Peng, Tian Xie, Liuan Li and Jin-Ping Ao : Influence of metal-insulator-semiconductor gate structure on normally-off P-GaN heterojunction field effect transistors, Journal of Crystal Growth, Vol.532, 125395-1-125395-5, 2020.
欧文冊子 ● Taofei Pu, Xiaobo Li, Taowei Peng, Tian Xie, Liuan Li and Jin-Ping Ao : Influence of metal-insulator-semiconductor gate structure on normally-off P-GaN heterojunction field effect transistors, Journal of Crystal Growth, Vol.532, 125395-1-125395-5, 2020.

関連情報

Number of session users = 0, LA = 0.68, Max(EID) = 373281, Max(EOID) = 998586.