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登録内容 (EID=366653)

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種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
招待 (推奨):
審査 (推奨):
カテゴリ (推奨):
共著種別 (推奨): 国際共著 (徳島大学内研究者と国外研究機関所属研究者との共同研究) [継承]
学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.徳島大学.大学院理工学研究部 (2016年4月1日〜2017年3月31日) [継承]
著者 (必須): 1. (英) Xu Hengyu (日) 許 恒宇 (読) しゅう はんゆう
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨): **** [ユーザ]
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2. (英) Wan Caiping (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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3. (英) Sang Ling (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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4.敖 金平 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Influence on curvature induced stress to the flatband voltage and interface density of 4H-SiC MOS structure  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意):
キーワード (推奨):
発行所 (推奨):
誌名 (必須): Journal of Crystal Growth ([Elsevier])
(pISSN: 0022-0248)

ISSN (任意): 0022-0248
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
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(必須): 505 [継承]
(必須): [継承]
(必須): 59 61 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 2019年 1月 1日 (平成 31年 1月 1日) [継承]
URL (任意): https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2018.09.024 [継承]
DOI (任意): 10.1016/j.jcrysgro.2018.09.024    (→Scopusで検索) [継承]
PMID (任意):
NAID (任意):
WOS (任意):
Scopus (任意): 2-s2.0-85054593534 [継承]
評価値 (任意):
被引用数 (任意):
指導教員 (推奨):
備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● Hengyu Xu, Caiping Wan, Ling Sang and Jin-Ping Ao : Influence on curvature induced stress to the flatband voltage and interface density of 4H-SiC MOS structure, Journal of Crystal Growth, Vol.505, 59-61, 2019.
欧文冊子 ● Hengyu Xu, Caiping Wan, Ling Sang and Jin-Ping Ao : Influence on curvature induced stress to the flatband voltage and interface density of 4H-SiC MOS structure, Journal of Crystal Growth, Vol.505, 59-61, 2019.

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