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登録内容 (EID=358356)

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種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
招待 (推奨):
審査 (推奨): Peer Review [継承]
カテゴリ (推奨): 研究 [継承]
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学究種別 (推奨):
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著者 (必須): 1. (英) Yang X. (日) (読)
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2. (英) Nitta S. (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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3.永松 謙太郎 ([徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所])
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4. (英) Bae S. (日) (読)
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5. (英) Lee H. (日) (読)
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6. (英) Liu Y. (日) (読)
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7. (英) Pristovsek M. (日) (読)
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8. (英) Honda Y. (日) (読)
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9. (英) Amano H. (日) (読)
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題名 (必須): (英) Growth of hexagonal boron nitride on sapphire substrate by pulsed-mode metal-organic vapor phase epitaxy  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英) Hexagonal boron nitride (h-BN) was directly grown on sapphire substrate using alternating ammonia (NH3) and triethylboron (TEB) supply (pulsed mode) in metalorganic vapor phase epitaxy. The best condition is when just enough NH3 is supplied to fully convert the TEB within one cycle. Excess NH3 caused islands on h-BN film surface while a lack of NH3 does not form h-BN at all. The epitaxial relationship between grown h-BN layer and c-plane sapphire was confirmed to be [0001]h-BN[0001]sapphire and [10-10]h-BN[11-20]sapphire. It is known that, compared to AlN, BN requires higher V/III ratios for good crystallinity, which due to severe gas-phase reactions is difficult to achieve using continuous supply. Thus using pulsed mode the FWHM of the symmetric (0002) diffraction was almost halved and the growth rate was several times faster.  (日)    [継承]
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発行所 (推奨): Elsevier (->組織[Elsevier Science]) [継承]
誌名 (必須): Journal of Crystal Growth ([Elsevier])
(pISSN: 0022-0248)

ISSN (任意): 0022-0248
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
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(必須): 482 [継承]
(必須):
(必須): 1 8 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 2018年 1月 15日 (平成 30年 1月 15日) [継承]
URL (任意): https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022024817306437 [継承]
DOI (任意): 10.1016/j.jcrysgro.2017.10.036    (→Scopusで検索) [継承]
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標準的な表示

和文冊子 ● X. Yang, S. Nitta, Kentaro Nagamatsu, S. Bae, H. Lee, Y. Liu, M. Pristovsek, Y. Honda and H. Amano : Growth of hexagonal boron nitride on sapphire substrate by pulsed-mode metal-organic vapor phase epitaxy, Journal of Crystal Growth, Vol.482, (号), 1-8, 2018.
欧文冊子 ● X. Yang, S. Nitta, Kentaro Nagamatsu, S. Bae, H. Lee, Y. Liu, M. Pristovsek, Y. Honda and H. Amano : Growth of hexagonal boron nitride on sapphire substrate by pulsed-mode metal-organic vapor phase epitaxy, Journal of Crystal Growth, Vol.482, (号), 1-8, 2018.

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