| ○種別 (必須): | □ | 学術論文 (審査論文)
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| ○言語 (必須): | □ | 英語
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| ○招待 (推奨): |
| ○審査 (推奨): | □ | Peer Review
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| ○カテゴリ (推奨): | □ | 研究
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| ○共著種別 (推奨): |
| ○学究種別 (推奨): |
| ○組織 (推奨): |
| ○著者 (必須): | 1. | (英) Barry O1. (日) (読)
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): |
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| 2. | (英) Tanaka A. (日) (読)
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): |
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| 3. | 永松 謙太郎 ([徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所])
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): |
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| 4. | (英) Bae S. (日) (読)
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): |
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| 5. | (英) Lekhal K. (日) (読)
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): |
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| 6. | (英) Matsushita J. (日) (読)
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): |
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| 7. | (英) Deki M. (日) (読)
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): |
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| 8. | (英) Nitta S. (日) (読)
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): |
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| 9. | (英) Honda Y. (日) (読)
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): |
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| 10. | (英) Amano H. (日) (読)
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): |
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| ○題名 (必須): | □ | (英) Effect of V/III ratio on the surface morphology and electrical properties of m-plane (1010) GaN homoepitaxial layers (日)
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| ○副題 (任意): |
| ○要約 (任意): | □ | (英) We have investigated the effect of V/III ratio on the surface morphology, impurity concentration and electrical properties of mplane Gallium Nitride (GaN) homoepitaxial layers. Four-sided pyramidal hillocks are observed on the nominally on-axis mplane GaN films. Hillocks sizes relatively increase by increasing the V/III ratio. All facets of pyramidal hillocks exhibit well-defined step-terrace features. Secondary ion mass spectrometry depth profiles reveal that carbon impurities decrease by increasing the V/III ratio while the lowest oxygen content is found at an optimized V/III ratio of 900. Vertical Schottky barrier diodes fabricated on the mGaN samples were characterized. Low leakage current densities of the order of 1010 A/cm2 at 5 V are obtained at the optimum V/III ratio. Oxygen impurities and screw-component dislocations around hillocks are found to have more detrimental impact on the leakage current mechanism. (日)
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| ○キーワード (推奨): |
| ○発行所 (推奨): | □ | Elsevier (->組織[Elsevier Science])
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| ○誌名 (必須): | □ | Journal of Crystal Growth ([Elsevier])
(pISSN: 0022-0248)
| ○ISSN (任意): | □ | 0022-0248
ISSN: 0022-0248
(pISSN: 0022-0248) Title: Journal of crystal growthTitle(ISO): J Cryst GrowthPublisher: Elsevier BV (NLM Catalog)
(Scopus)
(CrossRef)
(Scopus information is found. [need login]) | [継承] |
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| ○巻 (必須): | □ | 468
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| ○号 (必須): |
| ○頁 (必須): | □ | 552 556
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| ○都市 (任意): |
| ○年月日 (必須): | □ | 西暦 2017年 6月 15日 (平成 29年 6月 15日)
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| ○URL (任意): | □ | https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022024816308727?via%3Dihub
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| ○DOI (任意): | □ | 10.1016/j.jcrysgro.2016.12.012 (→Scopusで検索)
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| ○PMID (任意): |
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