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EID=358343EID:358343, Map:0, LastModified:2019年8月27日(火) 15:13:28, Operator:[永松 謙太郎], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[永松 謙太郎], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
招待 (推奨):
審査 (推奨): Peer Review [継承]
カテゴリ (推奨): 研究 [継承]
共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨):
著者 (必須): 1. (英) Barry O1. (日) (読)
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2. (英) Tanaka A. (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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3.永松 謙太郎 ([徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所])
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4. (英) Bae S. (日) (読)
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5. (英) Lekhal K. (日) (読)
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6. (英) Matsushita J. (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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7. (英) Deki M. (日) (読)
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8. (英) Nitta S. (日) (読)
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9. (英) Honda Y. (日) (読)
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10. (英) Amano H. (日) (読)
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題名 (必須): (英) Effect of V/III ratio on the surface morphology and electrical properties of m-plane (1010) GaN homoepitaxial layers  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英) We have investigated the effect of V/III ratio on the surface morphology, impurity concentration and electrical properties of mplane Gallium Nitride (GaN) homoepitaxial layers. Four-sided pyramidal hillocks are observed on the nominally on-axis mplane GaN films. Hillocks sizes relatively increase by increasing the V/III ratio. All facets of pyramidal hillocks exhibit well-defined step-terrace features. Secondary ion mass spectrometry depth profiles reveal that carbon impurities decrease by increasing the V/III ratio while the lowest oxygen content is found at an optimized V/III ratio of 900. Vertical Schottky barrier diodes fabricated on the mGaN samples were characterized. Low leakage current densities of the order of 1010 A/cm2 at 5 V are obtained at the optimum V/III ratio. Oxygen impurities and screw-component dislocations around hillocks are found to have more detrimental impact on the leakage current mechanism.  (日)    [継承]
キーワード (推奨):
発行所 (推奨): Elsevier (->組織[Elsevier Science]) [継承]
誌名 (必須): Journal of Crystal Growth ([Elsevier])
(pISSN: 0022-0248)

ISSN (任意): 0022-0248
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
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(必須): 468 [継承]
(必須):
(必須): 552 556 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 2017年 6月 15日 (平成 29年 6月 15日) [継承]
URL (任意): https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022024816308727?via%3Dihub [継承]
DOI (任意): 10.1016/j.jcrysgro.2016.12.012    (→Scopusで検索) [継承]
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和文冊子 ● O1. Barry, A. Tanaka, Kentaro Nagamatsu, S. Bae, K. Lekhal, J. Matsushita, M. Deki, S. Nitta, Y. Honda and H. Amano : Effect of V/III ratio on the surface morphology and electrical properties of m-plane (1010) GaN homoepitaxial layers, Journal of Crystal Growth, Vol.468, (号), 552-556, 2017.
欧文冊子 ● O1. Barry, A. Tanaka, Kentaro Nagamatsu, S. Bae, K. Lekhal, J. Matsushita, M. Deki, S. Nitta, Y. Honda and H. Amano : Effect of V/III ratio on the surface morphology and electrical properties of m-plane (1010) GaN homoepitaxial layers, Journal of Crystal Growth, Vol.468, (号), 552-556, 2017.

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