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登録内容 (EID=358311)

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種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
招待 (推奨):
審査 (推奨): Peer Review [継承]
カテゴリ (推奨): 研究 [継承]
共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨):
著者 (必須): 1. (英) Kasai Takahiro (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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2. (英) Nagata K. (日) (読)
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貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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3. (英) Mori T. (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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4.永松 謙太郎 ([徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所])
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学籍番号 (推奨):
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5. (英) Iwaya M. (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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6. (英) Kamiyama S. (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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7. (英) Amano H. (日) (読)
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8. (英) Akasaki I. (日) (読)
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題名 (必須): (英) Relaxation and recovery processes of AlxGa1-xN grown on AlN underlying layer  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英) The processes as in title of relaxation of the lattice mismatch and the recovery of crystalline quality in thick AlxGa1xN on high-temperature-grown AlN were investigated. When x=0.3, rapid lattice relaxation occurred over a few microns, then the crystalline quality gradually recovered over 10 μm. In contrast, when x=0.7, relaxation of the lattice mismatch gradually occurred over 5 μm.  (日)    [継承]
キーワード (推奨):
発行所 (推奨): Elsevier (->組織[Elsevier Science]) [継承]
誌名 (必須): Journal of Crystal Growth ([Elsevier])
(pISSN: 0022-0248)

ISSN (任意): 0022-0248
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
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(必須): 311 [継承]
(必須): 10 [継承]
(必須): 2850 2852 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 2009年 3月 1日 (平成 21年 3月 1日) [継承]
URL (任意): https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022024809000505 [継承]
DOI (任意): 10.1016/j.jcrysgro.2009.01.028    (→Scopusで検索) [継承]
PMID (任意):
NAID (任意):
WOS (任意):
Scopus (任意):
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被引用数 (任意):
指導教員 (推奨):
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標準的な表示

和文冊子 ● Takahiro Kasai, K. Nagata, T. Mori, Kentaro Nagamatsu, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki : Relaxation and recovery processes of AlxGa1-xN grown on AlN underlying layer, Journal of Crystal Growth, Vol.311, No.10, 2850-2852, 2009.
欧文冊子 ● Takahiro Kasai, K. Nagata, T. Mori, Kentaro Nagamatsu, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki : Relaxation and recovery processes of AlxGa1-xN grown on AlN underlying layer, Journal of Crystal Growth, Vol.311, No.10, 2850-2852, 2009.

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