『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
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登録内容 (EID=355288)

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種別 (必須): 国際会議 [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
招待 (推奨):
審査 (推奨): Peer Review [継承]
カテゴリ (推奨): 研究 [継承]
共著種別 (推奨): 国際共著 (徳島大学内研究者と国外研究機関所属研究者との共同研究) [継承]
学究種別 (推奨): 博士後期課程学生による研究報告 [継承]
組織 (推奨):
著者 (必須): 1. (英) Xiaobo Li (日) (読)
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貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨): **** [ユーザ]
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2. (英) Taofei Pu (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨): **** [ユーザ]
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3. (英) Taiki Hoshi (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨): **** [ユーザ]
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4. (英) Tian Xie (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨): **** [ユーザ]
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5. (英) Liuan Li (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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6. (英) Xianjie Li (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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7.藤原 茂樹 ([徳島大学.病院.先端歯科医療開発研究プロジェクト]/[徳島大学.病院.診療科.歯科口腔外科.歯科麻酔科])
役割 (任意):
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学籍番号 (推奨):
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8.北畑 洋 ([徳島大学.大学院医歯薬学研究部.歯学域.口腔科学部門.臨床歯学系.歯科麻酔科学])
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学籍番号 (推奨):
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9.敖 金平 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
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学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Nickel Nitride Gate AlGaN/GaN HFETs with Low Gate Leakage Current  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意):
キーワード (推奨):
発行所 (推奨):
誌名 (必須): (英) 2018 International Workshop on Nitride Semiconductors (日) (読)
ISSN (任意):
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都市 (必須): 金沢 (Kanazawa/[日本国]) [継承]
年月日 (必須): 西暦 2018年 11月 11日 (平成 30年 11月 11日) [継承]
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被引用数 (任意):
指導教員 (推奨):
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標準的な表示

和文冊子 ● Li Xiaobo, Pu Taofei, Hoshi Taiki, Xie Tian, Li Liuan, Li Xianjie, Shigeki Fujiwara Joseph Luke, Hiroshi Kitahata and Jin-Ping Ao : Nickel Nitride Gate AlGaN/GaN HFETs with Low Gate Leakage Current, 2018 International Workshop on Nitride Semiconductors, Kanazawa, Nov. 2018.
欧文冊子 ● Li Xiaobo, Pu Taofei, Hoshi Taiki, Xie Tian, Li Liuan, Li Xianjie, Shigeki Fujiwara Joseph Luke, Hiroshi Kitahata and Jin-Ping Ao : Nickel Nitride Gate AlGaN/GaN HFETs with Low Gate Leakage Current, 2018 International Workshop on Nitride Semiconductors, Kanazawa, Nov. 2018.

関連情報

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