EDB [[岡田達也]] (350286)

EID=350286

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○組織 (推奨):
○研究者 (必須):	1.	岡田達也 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.機械科学系.材料科学分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.機械科学コース.材料科学講座])	[継承]
○種別 (必須):	1.	国内	[継承]
○出資団体 (必須):	□	独立行政法人日本学術振興会	[継承]
○予算名 (必須):	□	科学研究費補助金	[継承]
○予算名2 (推奨):	□	基盤研究(C)	[継承]
○番号 (推奨):	□	15K06466	[継承]
○課題 (必須):	□	(英) (日) フェムト秒レーザー誘起ひずみを応用したSiC上の低温電極形成法の提案	[継承]
○要約 (任意):
○金額 (推奨):	1.	2900.0千円	[継承]
	2.	500.0千円	[継承]
	3.	500.0千円	[継承]
○期間 (必須):	□	西暦 2015年 4月 1日 (平成 27年 4月 1日) 〜西暦 2018年 3月 31日 (平成 30年 3月 31日)	[継承]
○備考 (任意):

和文冊子 ●	岡田達也 : 独立行政法人日本学術振興会, 科学研究費補助金・基盤研究(C), フェムト秒レーザー誘起ひずみを応用したSiC上の低温電極形成法の提案, 2015年4月〜2018年3月.
欧文冊子 ●	Tatsuya Okada : 独立行政法人日本学術振興会, Grants-in-Aid for Scientific Research・Scientific Research (C), フェムト秒レーザー誘起ひずみを応用したSiC上の低温電極形成法の提案, April 2015-March 2018.

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登録内容 (EID=350286)

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