『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
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登録内容 (EID=350286)

EID=350286EID:350286, Map:0, LastModified:2019年4月3日(水) 17:22:40, Operator:[岡田 達也], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[岡田 達也], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
組織 (推奨):
研究者 (必須): 1.岡田 達也 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.機械科学系.材料科学分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.機械科学コース.材料科学講座]) [継承]
種別 (必須): 1.国内 [継承]
出資団体 (必須): 独立行政法人日本学術振興会 [継承]
予算名 (必須): 科学研究費補助金 [継承]
予算名2 (推奨): 基盤研究(C) [継承]
番号 (推奨): 15K06466 [継承]
課題 (必須): (英)   (日) フェムト秒レーザー誘起ひずみを応用したSiC上の低温電極形成法の提案   [継承]
要約 (任意):
金額 (推奨): 1.2900.0千円 [継承]
2.500.0千円 [継承]
3.500.0千円 [継承]
期間 (必須): 西暦 2015年 4月 1日 (平成 27年 4月 1日) 〜西暦 2018年 3月 31日 (平成 30年 3月 31日) [継承]
備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● 岡田 達也 : 独立行政法人日本学術振興会, 科学研究費補助金基盤研究(C), フェムト秒レーザー誘起ひずみを応用したSiC上の低温電極形成法の提案, 2015年4月〜2018年3月.
欧文冊子 ● Tatsuya Okada : 独立行政法人日本学術振興会, Grants-in-Aid for Scientific ResearchScientific Research (C), フェムト秒レーザー誘起ひずみを応用したSiC上の低温電極形成法の提案, April 2015-March 2018.

関連情報

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