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登録内容 (EID=342240)

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○種別 (必須): □学術論文 (審査論文) [継承]
○言語 (必須): □英語 [継承]
○招待 (推奨):
○審査 (推奨): □Peer Review [継承]
○カテゴリ (推奨): □研究 [継承]
○共著種別 (推奨): □国際共著 (徳島大学内研究者と国外研究機関所属研究者との共同研究) [継承]
○学究種別 (推奨): □博士後期課程学生による研究報告 [継承]
○組織 (推奨): 1.徳島大学.理工学部 (2016年4月1日〜) [継承]
○著者 (必須): 1. (英) Zhang Tong (日) 張 彤 (読) ちょう たん
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨): □**** [ユーザ]
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2. (英) Pu Taofei (日) 蒲 涛飞 (読) ほ とうひ
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨): □**** [ユーザ]
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3. (英) Xie Tian (日) 謝 天 (読) しゃ てん
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨): □**** [ユーザ]
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4. (英) Li Liuan (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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5. (英) Bu Yuyu (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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6. (英) Wang Xiao (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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7.敖 金平
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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○題名 (必須): □(英) Synthesis of thermally stable HfOxNy as gate dielectric for AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors  (日)    [継承]
○副題 (任意):
○要約 (任意):
○キーワード (推奨):
○発行所 (推奨):
○誌名 (必須): □Chinese Physics B (Institute of Physics Publishing)
(pISSN: 1674-1056)

○ISSN (任意): □1674-1056
ISSN: 1674-1056 (pISSN: 1674-1056, eISSN: 2058-3834)
Title: Chinese physics B = Zhongguo wu li B
Title(ISO): Chin Phys B
Publisher: IOP Publishing Ltd.
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○巻 (必須): □27 [継承]
○号 (必須): □7 [継承]
○頁 (必須): □078503-1 078503-5 [継承]
○都市 (任意):
○年月日 (必須): □西暦 2018年 6月 25日 (平成 30年 6月 25日) [継承]
○URL (任意):
○DOI (任意): □10.1088/1674-1056/27/7/078503    (→Scopusで検索) [継承]
○PMID (任意):
○CRID (任意):
○WOS (任意):
○Scopus (任意):
○評価値 (任意):
○被引用数 (任意):
○指導教員 (推奨): 1.敖 金平 [継承]
○備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● Tong Zhang, Taofei Pu, Tian Xie, Liuan Li, Yuyu Bu, Xiao Wang and Jin-Ping Ao : Synthesis of thermally stable HfOxNy as gate dielectric for AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors, Chinese Physics B, Vol.27, No.7, 078503-1-078503-5, 2018.
欧文冊子 ● Tong Zhang, Taofei Pu, Tian Xie, Liuan Li, Yuyu Bu, Xiao Wang and Jin-Ping Ao : Synthesis of thermally stable HfOxNy as gate dielectric for AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors, Chinese Physics B, Vol.27, No.7, 078503-1-078503-5, 2018.

関連情報

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