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登録内容 (EID=342207)

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○種別 (必須): □国際会議 [継承]
○言語 (必須): □英語 [継承]
○招待 (推奨): □招待 [継承]
○審査 (推奨): □Peer Review [継承]
○カテゴリ (推奨): □研究 [継承]
○共著種別 (推奨): □国際共著 (徳島大学内研究者と国外研究機関所属研究者との共同研究) [継承]
○学究種別 (推奨):
○組織 (推奨): 1.徳島大学.理工学部 (2016年4月1日〜) [継承]
○著者 (必須): 1. (英) Pu Taofei (日) 蒲 涛飞 (読) ほ とうひ
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨): □**** [ユーザ]
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2. (英) Wang Xiao (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
3. (英) Huang Qian (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
4. (英) Li Xiaobo (日) 李 小波 (読) り しょうは
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨): □**** [ユーザ]
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5. (英) Bu Yuyu (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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6.敖 金平
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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○題名 (必須): □(英) Development of E-Mode AlGaN/GaN HJFETs  (日)    [継承]
○副題 (任意):
○要約 (任意):
○キーワード (推奨):
○発行所 (推奨):
○誌名 (必須): □ (英) 2018 Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM2018) (日) (読)
○ISSN (任意):
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○巻 (必須): □ [継承]
○号 (必須): □ [継承]
○頁 (必須): □ [継承]
○都市 (必須): □北京 (Beijing/[中華人民共和国]) [継承]
○年月日 (必須): □西暦 2018年 7月 10日 (平成 30年 7月 10日) [継承]
○URL (任意):
○DOI (任意):
○PMID (任意):
○CRID (任意):
○WOS (任意):
○Scopus (任意):
○評価値 (任意):
○被引用数 (任意):
○指導教員 (推奨):
○備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● Taofei Pu, Xiao Wang, Qian Huang, Xiaobo Li, Yuyu Bu and Jin-Ping Ao : Development of E-Mode AlGaN/GaN HJFETs, 2018 Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM2018), Beijing, July 2018.
欧文冊子 ● Taofei Pu, Xiao Wang, Qian Huang, Xiaobo Li, Yuyu Bu and Jin-Ping Ao : Development of E-Mode AlGaN/GaN HJFETs, 2018 Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM2018), Beijing, July 2018.

関連情報

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