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登録内容 (EID=342195)

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種別 (必須): その他·研究会 [継承]
言語 (必須): 日本語 [継承]
招待 (推奨):
審査 (推奨):
カテゴリ (推奨): 研究 [継承]
共著種別 (推奨): 単独著作 (徳島大学内の単一の研究グループ(研究室等)内の研究 (単著も含む)) [継承]
学究種別 (推奨): 修士課程学生による研究報告 [継承]
組織 (推奨): 1.徳島大学.理工学部 (2016年4月1日〜) [継承]
著者 (必須): 1. (英) Yagi Kensaku (日) 矢木 健策 (読) やぎ けんさく
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨): **** [ユーザ]
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2. (英) Goto Kazuya (日) 後藤 和也 (読) ごとう かずや
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨): **** [ユーザ]
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3.敖 金平 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英)   (日) 低温オーミックプロセスを用いた AlGaN/GaN HFET に関する研究   [継承]
副題 (任意):
要約 (任意):
キーワード (推奨):
発行所 (推奨):
誌名 (必須): (英) (日) 2017年度応用物理学会中国市国支部若手半導体研究会 (読)
ISSN (任意):
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都市 (必須):
年月日 (必須): 西暦 2017年 8月 4日 (平成 29年 8月 4日) [継承]
URL (任意):
DOI (任意):
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WOS (任意):
Scopus (任意):
評価値 (任意):
被引用数 (任意):
指導教員 (推奨): 1.敖 金平 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座]) [継承]
備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● 矢木 健策, 後藤 和也, 敖 金平 : 低温オーミックプロセスを用いた AlGaN/GaN HFET に関する研究, 2017年度応用物理学会中国市国支部若手半導体研究会, 2017年8月.
欧文冊子 ● Kensaku Yagi, Kazuya Goto and Jin-Ping Ao : 低温オーミックプロセスを用いた AlGaN/GaN HFET に関する研究, 2017年度応用物理学会中国市国支部若手半導体研究会, Aug. 2017.

関連情報

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