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登録内容 (EID=339386)

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種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
招待 (推奨):
審査 (推奨): Peer Review [継承]
カテゴリ (推奨): 研究 [継承]
共著種別 (推奨): 学内共著 (徳島大学内研究者との共同研究 (学外研究者を含まない)) [継承]
学究種別 (推奨): 博士後期課程学生による研究報告 [継承]
組織 (推奨): 1.徳島大学.理工学部 (2016年4月1日〜) [継承]
著者 (必須): 1. (英) Wang Lei (日) Wang Lei (読) おう れい
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学籍番号 (推奨): **** [ユーザ]
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2. (英) Zhang Jiaqi (日) 張 家琦 (読) ちょう かき
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨): **** [ユーザ]
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3. (英) Li Liuan (日) 李 柳暗 (読) り りゅうあん
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨): **** [ユーザ]
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4. (英) Maeda Yutaro (日) 前田 裕太郎 (読) まえだ ゆうたろう
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨): **** [ユーザ]
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5.敖 金平 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
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学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Plasma-assisted surface treatment for low-temperature annealed ohmic contact on AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意):
キーワード (推奨):
発行所 (推奨):
誌名 (必須): Chinese Physics B (Institute of Physics Publishing)
(pISSN: 1674-1056)

ISSN (任意): 1674-1056
ISSN: 1674-1056 (pISSN: 1674-1056, eISSN: 2058-3834)
Title: Chinese physics B = Zhongguo wu li B
Title(ISO): Chin Phys B
Publisher: Institute of Physics Publishing
 (NLM Catalog  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
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(必須): 26 [継承]
(必須): 3 [継承]
(必須): 037201 037201 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 2017年 3月 初日 (平成 29年 3月 初日) [継承]
URL (任意):
DOI (任意): 10.1088/1674-1056/26/3/037201    (→Scopusで検索) [継承]
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NAID (任意):
WOS (任意):
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評価値 (任意):
被引用数 (任意):
指導教員 (推奨):
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標準的な表示

和文冊子 ● Lei Wang, Jiaqi Zhang, Liuan Li, Yutaro Maeda and Jin-Ping Ao : Plasma-assisted surface treatment for low-temperature annealed ohmic contact on AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors, Chinese Physics B, Vol.26, No.3, 037201, 2017.
欧文冊子 ● Lei Wang, Jiaqi Zhang, Liuan Li, Yutaro Maeda and Jin-Ping Ao : Plasma-assisted surface treatment for low-temperature annealed ohmic contact on AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors, Chinese Physics B, Vol.26, No.3, 037201, 2017.

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