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登録内容 (EID=339377)

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種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
招待 (推奨):
審査 (推奨): Peer Review [継承]
カテゴリ (推奨): 研究 [継承]
共著種別 (推奨): 国際共著 (徳島大学内研究者と国外研究機関所属研究者との共同研究) [継承]
学究種別 (推奨): 博士後期課程学生による研究報告 [継承]
組織 (推奨): 1.徳島大学.理工学部 (2016年4月1日〜) [継承]
著者 (必須): 1. (英) Shen Z. (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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2. (英) He L. (日) (読)
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貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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3.敖 金平 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
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学籍番号 (推奨):
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4. (英) Zhang B.J. (日) (読)
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貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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5. (英) Liu Y. (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Investigation of O3-Al2O3/H2O-Al2O3 dielectric bilayer deposited by atomic-layer deposition for GaN MOS capacitors  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意):
キーワード (推奨):
発行所 (推奨):
誌名 (必須): Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science ([Wiley-VCH])
(pISSN: 1862-6300, eISSN: 1862-6319)

ISSN (任意): 1862-6300
ISSN: 1862-6300 (pISSN: 1862-6300, eISSN: 1862-6319)
Title: Physica Status Solidi (A)
Publisher: Wiley
 (Wiley  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
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(必須): 213 [継承]
(必須): 10 [継承]
(必須): 2693 2698 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 2016年 5月 20日 (平成 28年 5月 20日) [継承]
URL (任意):
DOI (任意): 10.1002/pssa.201532785    (→Scopusで検索) [継承]
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NAID (任意):
WOS (任意):
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被引用数 (任意):
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標準的な表示

和文冊子 ● Z. Shen, L. He, Jin-Ping Ao, B.J. Zhang and Y. Liu : Investigation of O3-Al2O3/H2O-Al2O3 dielectric bilayer deposited by atomic-layer deposition for GaN MOS capacitors, Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science, Vol.213, No.10, 2693-2698, 2016.
欧文冊子 ● Z. Shen, L. He, Jin-Ping Ao, B.J. Zhang and Y. Liu : Investigation of O3-Al2O3/H2O-Al2O3 dielectric bilayer deposited by atomic-layer deposition for GaN MOS capacitors, Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science, Vol.213, No.10, 2693-2698, 2016.

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