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登録内容 (EID=333384)

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種別 (必須): 国内講演発表 [継承]
言語 (必須): 日本語 [継承]
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著者 (必須): 1.盧 翔孟
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2.南 康夫 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.ナノマテリアルテクノロジー(日亜)])
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3.熊谷 直人
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学籍番号 (推奨):
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4.北田 貴弘 (->個人[塚越 貴弘])
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題名 (必須): (英)   (日) MBEによる(113)Bと(113)A GaAs基板上におけるGaAs/Ge/GaAsヘテロ構造の成長   [継承]
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誌名 (必須): (英) (日) 第78回応用物理学会秋季学術講演会 (読)
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(必須): 5p-C21-9 5p-C21-9 [継承]
都市 (必須): 福岡 (Fukuoka/[日本国]) [継承]
年月日 (必須): 西暦 2017年 9月 5日 (平成 29年 9月 5日) [継承]
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和文冊子 ● 盧 翔孟, 南 康夫, 熊谷 直人, 北田 貴弘 : MBEによる(113)Bと(113)A GaAs基板上におけるGaAs/Ge/GaAsヘテロ構造の成長, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 5p-C21-9, 2017年9月.
欧文冊子 ● Xiangmeng Lu, Yasuo Minami, Naoto Kumagai and Takahiro Kitada : MBEによる(113)Bと(113)A GaAs基板上におけるGaAs/Ge/GaAsヘテロ構造の成長, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 5p-C21-9, Sep. 2017.

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