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登録内容 (EID=331326)

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種別 (必須): 国内講演発表 [継承]
言語 (必須): 日本語 [継承]
招待 (推奨):
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カテゴリ (推奨): 研究 [継承]
共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨):
著者 (必須): 1. (英) Hashimoto Ryuji (日) 橋本 竜治 (読) はしもと りゅうじ
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学籍番号 (推奨): **** [ユーザ]
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2. (英) Suzuki Yudai (日) 鈴木 雄大 (読) すずき ゆうだい
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨): **** [ユーザ]
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3.西野 克志 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
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学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Growth of AlGaN films by MOCVD on sublimation-grown AlN substrates  (日) 昇華法AlN基板上へのMOCVD法によるAlGaN結晶の成長   [継承]
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発行所 (推奨):
誌名 (必須): (英) (日) 2016年度 応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会 (読)
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(必須): 86 86 [継承]
都市 (必須):
年月日 (必須): 西暦 2016年 7月 31日 (平成 28年 7月 31日) [継承]
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和文冊子 ● 橋本 竜治, 鈴木 雄大, 西野 克志 : 昇華法AlN基板上へのMOCVD法によるAlGaN結晶の成長, 2016年度 応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, 86, 2016年7月.
欧文冊子 ● Ryuji Hashimoto, Yudai Suzuki and Katsushi Nishino : Growth of AlGaN films by MOCVD on sublimation-grown AlN substrates, 2016年度 応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, 86, July 2016.

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