『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
登録内容 (EID=304378)
| EID=304378 | EID:304378,
Map:0,
LastModified:2015年9月18日(金) 12:12:20,
Operator:[岡田 達也],
Avail:TRUE,
Censor:承認済,
Owner:[岡田 達也],
Read:継承,
Write:継承,
Delete:継承.
|
| ○種別 (必須): | □ | 国内講演発表
| [継承] |
| ○言語 (必須): | □ | 日本語
| [継承] |
| ○招待 (推奨): |
| ○審査 (推奨): |
| ○カテゴリ (推奨): | □ | 研究
| [継承] |
| ○共著種別 (推奨): |
| ○学究種別 (推奨): | □ | 博士前期課程学生による研究報告
| [継承] |
| ○組織 (推奨): | 1. | 徳島大学.先端技術科学教育部.知的力学システム工学専攻.機械創造システム工学コース (2006年4月1日〜)
| [継承] |
| 2. | 徳島大学.工学部.電気電子工学科
| [継承] |
| 3. | 徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.総合技術センター.分析・解析技術分野 (〜2016年3月31日)
| [継承] |
| 4. | 徳島大学.大学院ソシオテクノサイエンス研究部.先進物質材料部門.量子物質科学 (2006年4月1日〜2016年3月31日)
| [継承] |
| 5. | 徳島大学.大学院ソシオテクノサイエンス研究部.先進物質材料部門.材料加工システム (2006年4月1日〜2016年3月31日)
| [継承] |
| ○著者 (必須): | 1. | (英) (日) 滝谷 悠介 (読) たきだに ゆうすけ
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): |
| [継承] |
| 2. | (英) (日) 近藤 健太 (読) こんどう けんた
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): |
| [継承] |
| 3. | 植木 智之 ([徳島大学.技術支援部.常三島技術部門.地域協働グループ]/[徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.総合技術センター])
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): |
| [継承] |
| 4. | (英) (日) 田中 康弘 (読) たなか やすひろ
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): |
| [継承] |
| 5. | 富田 卓朗 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): |
| [継承] |
| 6. | 岡田 達也 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.機械科学系.材料科学分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.機械科学コース.材料科学講座])
| ○役割 (任意): |
| ○貢献度 (任意): |
| ○学籍番号 (推奨): |
| [継承] |
| ○題名 (必須): | □ | (英) (日) Ni/SiC界面におけるフェムト秒レーザ照射誘起ひずみ及び低温アニールによるNiシリサイド形成
| [継承] |
| ○副題 (任意): |
| ○要約 (任意): |
| ○キーワード (推奨): |
| ○発行所 (推奨): | □ | 社団法人 日本金属学会
| [継承] |
| ○誌名 (必須): | □ | (英) (日) 日本金属学会2015年秋期講演大会(第157回)概要集 (読)
| [継承] |
| ○巻 (必須): | □ |
| [継承] |
| ○号 (必須): | □ |
| [継承] |
| ○頁 (必須): | □ | 80 80
| [継承] |
| ○都市 (必須): | □ | 福岡 (Fukuoka/[日本国])
| [継承] |
| ○年月日 (必須): | □ | 西暦 2015年 9月 17日 (平成 27年 9月 17日)
| [継承] |
| ○URL (任意): |
| ○DOI (任意): |
| ○PMID (任意): |
| ○CRID (任意): |
| ○WOS (任意): |
| ○Scopus (任意): |
| ○評価値 (任意): |
| ○被引用数 (任意): |
| ○指導教員 (推奨): |
| ○備考 (任意): |
|
標準的な表示
| 和文冊子 ● |
滝谷 悠介, 近藤 健太, 植木 智之, 田中 康弘, 富田 卓朗, 岡田 達也 : Ni/SiC界面におけるフェムト秒レーザ照射誘起ひずみ及び低温アニールによるNiシリサイド形成, 日本金属学会2015年秋期講演大会(第157回)概要集, 80, 2015年9月. |
| 欧文冊子 ● |
滝谷 悠介, 近藤 健太, Tomoyuki Ueki, 田中 康弘, Takuro Tomita and Tatsuya Okada : Ni/SiC界面におけるフェムト秒レーザ照射誘起ひずみ及び低温アニールによるNiシリサイド形成, 日本金属学会2015年秋期講演大会(第157回)概要集, 80, Sep. 2015. |
関連情報
Number of session users = 0, LA = 0.63, Max(EID) = 433034, Max(EOID) = 1152957.