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登録内容 (EID=304335)

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種別 (必須): 国内講演発表 [継承]
言語 (必須): 日本語 [継承]
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共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.フロンティア研究センター.光ナノテクノロジー研究部門.ナノマテリアルテクノロジー分野(日亜寄附講座) (〜2018年3月31日) [継承]
著者 (必須): 1.盧 翔孟
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2.熊谷 直人
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3.北田 貴弘 (->個人[塚越 貴弘])
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学籍番号 (推奨):
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4.井須 俊郎
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学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英)   (日) (001)と(113)B GaAs 基板上に成長したInAs 量子ドットに対するSb 照射の効果   [継承]
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キーワード (推奨):
発行所 (推奨): 応用物理学会 [継承]
誌名 (必須): (英) (日) 2015年度 第76回応用物理学会秋季学術講演会 (読)
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(必須): 14p-2W-7 [継承]
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都市 (必須): 名古屋 (Nagoya/[日本国]) [継承]
年月日 (必須): 西暦 2015年 9月 14日 (平成 27年 9月 14日) [継承]
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和文冊子 ● 盧 翔孟, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : (001)と(113)B GaAs 基板上に成長したInAs 量子ドットに対するSb 照射の効果, 2015年度 第76回応用物理学会秋季学術講演会, No.14p-2W-7, 2015年9月.
欧文冊子 ● Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : (001)と(113)B GaAs 基板上に成長したInAs 量子ドットに対するSb 照射の効果, 2015年度 第76回応用物理学会秋季学術講演会, No.14p-2W-7, Sep. 2015.

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