『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
登録内容 (EID=302719)
EID=302719 | EID:302719,
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LastModified:2016年12月16日(金) 10:31:09,
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○種別 (必須): | □ | 国内講演発表
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○言語 (必須): | □ | 日本語
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○招待 (推奨): |
○審査 (推奨): |
○カテゴリ (推奨): | □ | 研究
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○共著種別 (推奨): |
○学究種別 (推奨): | □ | 博士前期課程学生による研究報告
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○組織 (推奨): | 1. | 徳島大学.先端技術科学教育部.知的力学システム工学専攻.機械創造システム工学コース (2006年4月1日〜)
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| 2. | 徳島大学.工学部.電気電子工学科
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| 3. | 徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.総合技術センター.分析・解析技術分野 (〜2016年3月31日)
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| 4. | 徳島大学.大学院ソシオテクノサイエンス研究部.先進物質材料部門.量子物質科学 (2006年4月1日〜2016年3月31日)
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| 5. | 徳島大学.大学院ソシオテクノサイエンス研究部.先進物質材料部門.材料加工システム (2006年4月1日〜2016年3月31日)
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○著者 (必須): | 1. | (英) (日) 滝谷 悠介 (読) たきだに ゆうすけ
○役割 (任意): |
○貢献度 (任意): |
○学籍番号 (推奨): |
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| 2. | (英) (日) 近藤 健太 (読) こんどう けんた
○役割 (任意): |
○貢献度 (任意): |
○学籍番号 (推奨): |
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| 3. | 植木 智之 ([徳島大学.技術支援部.常三島技術部門.分析グループ]/[徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.総合技術センター])
○役割 (任意): |
○貢献度 (任意): |
○学籍番号 (推奨): |
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| 4. | (英) (日) 田中 康弘 (読) たなか やすひろ
○役割 (任意): |
○貢献度 (任意): |
○学籍番号 (推奨): |
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| 5. | 富田 卓朗 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
○役割 (任意): |
○貢献度 (任意): |
○学籍番号 (推奨): |
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| 6. | 岡田 達也 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.機械科学系.材料科学分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.機械科学コース.材料科学講座])
○役割 (任意): |
○貢献度 (任意): |
○学籍番号 (推奨): |
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○題名 (必須): | □ | (英) (日) Ni/SiC界面におけるフェムト秒レーザ照射誘起ひずみを応用した低温拡散
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○副題 (任意): |
○要約 (任意): |
○キーワード (推奨): |
○発行所 (推奨): | □ | 社団法人 日本金属学会
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○誌名 (必須): | □ | (英) (日) 日本金属学会中国四国支部第55回講演大会講演概要集 (読)
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○巻 (必須): |
○号 (必須): |
○頁 (必須): | □ | 52 52
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○都市 (必須): | □ | 広島 (Hiroshima/[日本国])
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○年月日 (必須): | □ | 西暦 2015年 8月 19日 (平成 27年 8月 19日)
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○URL (任意): |
○DOI (任意): |
○PMID (任意): |
○CRID (任意): |
○WOS (任意): |
○Scopus (任意): |
○researchmap (任意): |
○評価値 (任意): |
○被引用数 (任意): |
○指導教員 (推奨): |
○備考 (任意): |
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標準的な表示
和文冊子 ● |
滝谷 悠介, 近藤 健太, 植木 智之, 田中 康弘, 富田 卓朗, 岡田 達也 : Ni/SiC界面におけるフェムト秒レーザ照射誘起ひずみを応用した低温拡散, 日本金属学会中国四国支部第55回講演大会講演概要集, (巻), (号), 52, 2015年8月. |
欧文冊子 ● |
滝谷 悠介, 近藤 健太, Tomoyuki Ueki, 田中 康弘, Takuro Tomita and Tatsuya Okada : Ni/SiC界面におけるフェムト秒レーザ照射誘起ひずみを応用した低温拡散, 日本金属学会中国四国支部第55回講演大会講演概要集, (巻), (号), 52, Aug. 2015. |
関連情報
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