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種別 (必須): 国内講演発表 [継承]
言語 (必須): 日本語 [継承]
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著者 (必須): 1. (英) Yudai Suzuki (日) 鈴木 雄大 (読) すずき ゆうだい
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学籍番号 (推奨): **** [ユーザ]
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2.西野 克志 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
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学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Surface treatment of AlN substrates for growth of AlGaN films by MOCVD  (日) MOCVD法AlGaN成長における昇華法AlN基板処理方法の検討   [継承]
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誌名 (必須): (英) (日) 2015年度 応用物理・物理系学会中国四国支部 合同学術講演会 (読)
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(必須): Da-6 Da-6 [継承]
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年月日 (必須): 西暦 2015年 8月 1日 (平成 27年 8月 1日) [継承]
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和文冊子 ● 鈴木 雄大, 西野 克志 : MOCVD法AlGaN成長における昇華法AlN基板処理方法の検討, 2015年度 応用物理・物理系学会中国四国支部 合同学術講演会, (巻), (号), Da-6, 2015年8月.
欧文冊子 ● Suzuki Yudai and Katsushi Nishino : Surface treatment of AlN substrates for growth of AlGaN films by MOCVD, 2015年度 応用物理・物理系学会中国四国支部 合同学術講演会, (巻), (号), Da-6, Aug. 2015.

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