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種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
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組織 (推奨): 1.徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.フロンティア研究センター.光ナノテクノロジー研究部門.ナノマテリアルテクノロジー分野(日亜寄附講座) (〜2018年3月31日) [継承]
著者 (必須): 1.盧 翔孟
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学籍番号 (推奨):
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2. (英) Matsubara Shuzo (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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3. (英) Nakagawa Yoshinori (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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4.北田 貴弘 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.ナノマテリアルテクノロジー(日亜)]/->個人[塚越 貴弘])
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5.井須 俊郎
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学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Suppression of photoluminescence from wetting layer of InAs quantum dots grown on (113)B GaAs with AlAs cap  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英) Self-assembled InAs quantum dots (QDs), without and with an AlAs cap, were grown on (311)B GaAs substrates by molecular beam epitaxy. Surface morphologies of QDs were characterized by atomic force microscopy. Photoluminescence (PL) was performed in the 4 300 K temperature range. For QDs without AlAs cap, sharp and intense PL emitted from wetting layer was observed. PL from QDs was relatively weak at 4 K. The PL intensity of QDs decreased as measurement temperature increased and was not observed at 300 K. For QDs with AlAs cap, PL from WL vanished while PL from QDs were substantially enhanced at 300 K. Suppression of PL from WL indicates that the thickness of WL was reduced due to phase separation result from AlAs cap, which is an effective way to improve the PL of InAs QDs grown on (311)B GaAs substrate.  (日)    [継承]
キーワード (推奨):
発行所 (推奨):
誌名 (必須): Journal of Crystal Growth ([Elsevier])
(pISSN: 0022-0248)

ISSN (任意): 0022-0248
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
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(必須): 425 [継承]
(必須): [継承]
(必須): 106 109 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 2015年 6月 18日 (平成 27年 6月 18日) [継承]
URL (任意):
DOI (任意): 10.1016/j.jcrysgro.2015.02.074    (→Scopusで検索) [継承]
PMID (任意):
NAID (任意):
WOS (任意): 000356669200025 [継承]
Scopus (任意): 2-s2.0-84979964606 [継承]
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被引用数 (任意):
指導教員 (推奨):
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標準的な表示

和文冊子 ● Xiangmeng Lu, Shuzo Matsubara, Yoshinori Nakagawa, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Suppression of photoluminescence from wetting layer of InAs quantum dots grown on (113)B GaAs with AlAs cap, Journal of Crystal Growth, Vol.425, 106-109, 2015.
欧文冊子 ● Xiangmeng Lu, Shuzo Matsubara, Yoshinori Nakagawa, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Suppression of photoluminescence from wetting layer of InAs quantum dots grown on (113)B GaAs with AlAs cap, Journal of Crystal Growth, Vol.425, 106-109, 2015.

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