『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
ID: Pass:

登録内容 (EID=275794)

EID=275794EID:275794, Map:0, LastModified:2019年8月5日(月) 15:13:24, Operator:[大家 隆弘], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[西野 克志], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 学術レター (ショートペーパー) [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
招待 (推奨):
審査 (推奨): Peer Review [継承]
カテゴリ (推奨): 研究 [継承]
共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨):
著者 (必須): 1.西野 克志 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
2. (英) Nakauchi Jun (日) 中内 潤 (読) なかうち じゅん
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨): **** [ユーザ]
[継承]
3. (英) Hayashi Kotaro (日) 林 浩太郎 (読) はやし こうたろう
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨): **** [ユーザ]
[継承]
4. (英) Tsukihara Masashi (日) 月原 政志 (読) つきはら まさし
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
題名 (必須): (英) Self-Separation of Sublimation-Grown AlN with AlSiN Buffer Layer  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英) AlN was grown by a sublimation method on 6H-SiC. We found the grown AlN layer is easily separated from the substrate when Si powder is added to the AlN source powder. The formation of AlSiN layer with the Si content of 15% at the AlN/6H-SiC interface was confirmed by energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDS) and X-ray diffraction (XRD). This AlSiN layer causes the separation of AlN.  (日)    [継承]
キーワード (推奨):
発行所 (推奨): (英) The Japan Society of Applied Physics (日) (読) [継承]
誌名 (必須): Japanese Journal of Applied Physics ([応用物理学会])
(pISSN: 0021-4922, eISSN: 1347-4065)

ISSN (任意): 0021-4922
ISSN: 0021-4922 (pISSN: 0021-4922, eISSN: 1347-4065)
Title: Japanese journal of applied physics (2008)
Title(ISO): Jpn J Appl Phys (2008)
Supplier: 社団法人応用物理学会
Publisher: Japan Society of Applied Physics
 (NLM Catalog  (Webcat Plus  (Webcat Plus  (Webcat Plus  (Scopus  (Scopus  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
[継承]
[継承]
(必須): 52 [継承]
(必須): [継承]
(必須): 08JA07-1 08-JA07-2 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 2013年 5月 31日 (平成 25年 5月 31日) [継承]
URL (任意): http://ci.nii.ac.jp/naid/150000107451/ [継承]
DOI (任意): 10.7567/JJAP.52.08JA07    (→Scopusで検索) [継承]
PMID (任意):
NAID (任意): 210000142592 [継承]
WOS (任意): 000323883100007 [継承]
Scopus (任意): 2-s2.0-84883136889 [継承]
評価値 (任意):
被引用数 (任意):
指導教員 (推奨):
備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● Katsushi Nishino, Jun Nakauchi, Kotaro Hayashi and Masashi Tsukihara : Self-Separation of Sublimation-Grown AlN with AlSiN Buffer Layer, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.52, 08JA07-1-08-JA07-2, 2013.
欧文冊子 ● Katsushi Nishino, Jun Nakauchi, Kotaro Hayashi and Masashi Tsukihara : Self-Separation of Sublimation-Grown AlN with AlSiN Buffer Layer, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.52, 08JA07-1-08-JA07-2, 2013.

関連情報

Number of session users = 1, LA = 0.44, Max(EID) = 372557, Max(EOID) = 996430.