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登録内容 (EID=275769)

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種別 (必須): 国内講演発表 [継承]
言語 (必須): 日本語 [継承]
招待 (推奨):
審査 (推奨):
カテゴリ (推奨): 研究 [継承]
共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨):
著者 (必須): 1. (英) Hiwasa Yuichi (日) 日和佐 悠一 (読) ひわさ ゆういち
役割 (任意):
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学籍番号 (推奨): **** [ユーザ]
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2. (英) Hayashi Kotaro (日) 林 浩太郎 (読) はやし こうたろう
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨): **** [ユーザ]
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3.西野 克志 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
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学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英)   (日) 荒れた6H-SiC基板へ昇華法により成長したAlNの剥離機構   [継承]
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キーワード (推奨):
発行所 (推奨):
誌名 (必須): (英) (日) 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第5回窒化物半導体結晶成長講演会 (読)
ISSN (任意):
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(必須):
(必須):
(必須): FR18 FR18 [継承]
都市 (必須):
年月日 (必須): 西暦 2013年 6月 21日 (平成 25年 6月 21日) [継承]
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和文冊子 ● 日和佐 悠一, 林 浩太郎, 西野 克志 : 荒れた6H-SiC基板へ昇華法により成長したAlNの剥離機構, 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第5回窒化物半導体結晶成長講演会, (巻), (号), FR18, 2013年6月.
欧文冊子 ● Yuichi Hiwasa, Kotaro Hayashi and Katsushi Nishino : 荒れた6H-SiC基板へ昇華法により成長したAlNの剥離機構, 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第5回窒化物半導体結晶成長講演会, (巻), (号), FR18, June 2013.

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