『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
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登録内容 (EID=274732)

EID=274732EID:274732, Map:0, LastModified:2014年2月3日(月) 15:25:20, Operator:[川上 烈生], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[川上 烈生], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
組織 (必須): 1.徳島大学.大学院ソシオテクノサイエンス研究部.エネルギーシステム部門.エネルギー応用工学 (2006年4月1日〜2016年3月31日)
研究者 (必須): 1.川上 烈生 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座]) [継承]
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2. (英) (日) 日亜化学(株)窒化物半導体研究所 (読)
研究者 (必須): 1. (英) (日) 向井 孝志 (読) [継承]
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種別 (必須): 企業との共同研究 [継承]
テーマ (必須): (英)   (日) ワイドギャップ半導体のプラズマダメージ現象   [継承]
期間 (必須): 西暦 2013年 5月 1日 (平成 25年 5月 1日) 〜西暦 2014年 3月 31日 (平成 26年 3月 31日) [継承]
区分 (任意):
金額 (推奨): 1.300.0千円 [継承]
備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● エネルギー応用工学 (川上 烈生), 日亜化学(株)窒化物半導体研究所 (向井 孝志), ワイドギャップ半導体のプラズマダメージ現象, 2013年5月〜2014年3月.
欧文冊子 ● Energy Application Engineering (Retsuo Kawakami), 日亜化学(株)窒化物半導体研究所 (向井 孝志), ワイドギャップ半導体のプラズマダメージ現象, May 2013-March 2014.

関連情報

Number of session users = 0, LA = 0.32, Max(EID) = 405211, Max(EOID) = 1098823.