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登録内容 (EID=264261)

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種別 (必須): 国内講演発表 [継承]
言語 (必須): 日本語 [継承]
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著者 (必須): 1. (英) (日) 金 度亨 (読)
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2. (英) (日) 李 熙燮 (読)
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3. (英) (日) 山住 和也 (読)
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4.西野 克志 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
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5.酒井 士郎
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題名 (必須): (英) P-type conduction mechanism in Carbon-doped AlGaN  (日) 炭素(C)ドープAlGaN のP 型化のメカニズム   [継承]
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発行所 (推奨):
誌名 (必須): (英) (日) 第60 回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集 (読)
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(必須): 28p-PA1-29 28p-PA1-29 [継承]
都市 (必須): (英) (日) 神奈川工科大学 (読) [継承]
年月日 (必須): 西暦 2013年 3月 28日 (平成 25年 3月 28日) [継承]
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和文冊子 ● 金 度亨, 李 熙燮, 山住 和也, 西野 克志, 酒井 士郎 : 炭素(C)ドープAlGaN のP 型化のメカニズム, 第60 回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集, (巻), (号), 28p-PA1-29, 2013年3月.
欧文冊子 ● 金 度亨, 李 熙燮, 山住 和也, Katsushi Nishino and Shiro Sakai : P-type conduction mechanism in Carbon-doped AlGaN, 第60 回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集, (巻), (号), 28p-PA1-29, March 2013.

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