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登録内容 (EID=26396)

EID=26396EID:26396, Map:0, LastModified:2007年2月14日(水) 17:34:00, Operator:[日下 一也], Avail:TRUE, Censor:承認済, Owner:[日下 一也], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
○種別 (必須): □国内講演発表 [継承]
○言語 (必須): □日本語 [継承]
○招待 (推奨):
○審査 (推奨):
○カテゴリ (推奨): □研究 [継承]
○共著種別 (推奨):
○学究種別 (推奨):
○組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.機械工学科.生産システム講座 (〜2023年3月31日) [継承]
2.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 (〜2023年3月31日) [継承]
○著者 (必須): 1.日下 一也 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.機械科学系.生産工学分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.機械科学コース.生産工学講座])
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
2. (英) Furutani Kouhei (日) 古谷 公平 (読) ふるたに こうへい
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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3. (英) Kikuma Takuya (日) 喜久間 拓也 (読) きくま たくや
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
4.英 崇夫
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
5.富永 喜久雄
○役割 (任意): □共著 [継承]
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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○題名 (必須): □(英) Effect of Plasma Protection Net on Crystal Orientation and Residual Stress in Sputtering GaN Films  (日) スパッタリングGaN薄膜の結晶配向性および残留応力のプラズマ防止網の効果   [継承]
○副題 (任意):
○要約 (任意):
○キーワード (推奨):
○発行所 (推奨): □日本材料学会 [継承]
○誌名 (必須): □ (英) Proceedings of the 37th symposium on X-ray studies on mechanical behavior of materials (日) 第37回 X線材料強度に関するシンポジウム講演論文集 (読) だいさんじゅうななかい えっくすせんざいりょうきょうどにかんするしんぽじうむこうえんろんぶんしゅう
○ISSN (任意):
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○巻 (必須):
○号 (必須):
○頁 (必須): □175 179 [継承]
○都市 (必須): □京都 (Kyoto/[日本国]) [継承]
○年月日 (必須): □西暦 2001年 9月 6日 (平成 13年 9月 6日) [継承]
○URL (任意):
○DOI (任意):
○PMID (任意):
○CRID (任意):
○WOS (任意):
○Scopus (任意):
○評価値 (任意):
○被引用数 (任意):
○指導教員 (推奨):
○備考 (任意):

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和文冊子 ● 日下 一也, 古谷 公平, 喜久間 拓也, 英 崇夫, 富永 喜久雄 : スパッタリングGaN薄膜の結晶配向性および残留応力のプラズマ防止網の効果, 第37回 X線材料強度に関するシンポジウム講演論文集, (巻), (号), 175-179, 2001年9月.
欧文冊子 ● Kazuya Kusaka, Kouhei Furutani, Takuya Kikuma, Takao Hanabusa and Kikuo Tominaga : Effect of Plasma Protection Net on Crystal Orientation and Residual Stress in Sputtering GaN Films, Proceedings of the 37th symposium on X-ray studies on mechanical behavior of materials, (巻), (号), 175-179, Sep. 2001.

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