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登録内容 (EID=26298)

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種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
招待 (推奨):
審査 (推奨): Peer Review [継承]
カテゴリ (推奨): 研究 [継承]
共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.機械工学科.生産システム講座 [継承]
2.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
著者 (必須): 1.日下 一也 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.機械科学系.生産工学分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.機械科学コース.生産工学講座])
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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2. (英) Taniguchi Daisuke (日) 谷口 大輔 (読) たにぐち だいすけ
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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3.英 崇夫
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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4.富永 喜久雄
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Effect of sputtering gas pressure and nitrogen concentration on crystal orientation and residual stress in sputtered AlN films  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英) The crystal orientation and residual stress in sputtered AlN films were investigated by X-ray diffraction. The AlN films were deposited on a glass substrate by direct current (DC) and radio frequency (RF) planar magnetron sputtering system at mixed gas of argon and nitrogen under various sputtering gas pressures (P) and nitrogen concentrations (CN). The following results were obtained: (1) the degree of the c-axis orientation of AlN films deposited by RF sputtering was superior to those produced by DC sputtering; (2) the degree of the c-axis orientation of AlN films was improved with decreasing P and increasing CN; (3) in-plane large compressive stress was obtained at low P, and in-plane tensile stress was obtained at high P (P>1.3 Pa); (4) film produced by DC sputtering at low P (P<1 Pa) extensively included micro-cracks; and (5) in-plane tensile stress was obtained at low CN and large compressive stress was obtained at CN (CN>40%).  (日) スパッタ生成したAlN膜の結晶配向性および残留応力をX線回折により調べた.AlN膜は,いろいろなスパッタリングガス圧(P)および窒素濃度(CN)の条件下で,アルゴンと窒素の混合ガスを用いた直流(DC)および高周波(RF)プレーナマグネトロンスパッタリング法によりガラス基板上に堆積させた.以下の結果が得られた.(1)RFスパッタリングで堆積したAlN膜の結晶配向性は,DCスパッタリングで生成したものよりも優れている.(2)AlN膜のc軸配向性はPの減少およびCNの増加とともに向上する.(3)大きな平面圧縮応力は低Pで得られ,平面引張応力は高P(P<1 Pa)で得られた.(4)低P(P<1 Pa)でDCスパッタリングにより生成された膜には,微小クラックが広範囲に発生した.(5)平面引張応力は低CNで得られ,大きな圧縮応力は高CN(CN>40%)で得られた.   [継承]
キーワード (推奨):
発行所 (推奨): Elsevier Science [継承]
誌名 (必須): Vacuum ([Elsevier Science])
(pISSN: 0042-207X, eISSN: 1879-2715)

ISSN (任意): 0042-207X
ISSN: 0042-207X (pISSN: 0042-207X, eISSN: 1879-2715)
Title: Vacuum
Title(ISO): Vacuum
Publisher: Elsevier Ltd.
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
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(必須): 66 [継承]
(必須): 3-4 [継承]
(必須): 441 446 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 2002年 8月 19日 (平成 14年 8月 19日) [継承]
URL (任意): http://www.sciencedirect.com/science?_ob=ArticleURL&_udi=B6TW4-456272W-7&_coverDate=08%2F19%2F2002&_alid=193595515&_rdoc=1&_fmt=&_orig=search&_qd=1&_cdi=5552&_sort=d&view=c&_acct=C000008258&_version=1&_urlVersion=0&_userid=106892&md5=c1f799d322a138c8f36a80ea3ba9a226 [継承]
DOI (任意): 10.1016/S0042-207X(02)00168-9    (→Scopusで検索) [継承]
PMID (任意):
NAID (任意):
WOS (任意): 000177582000042 [継承]
Scopus (任意): 2-s2.0-0037136161 [継承]
評価値 (任意):
被引用数 (任意):
指導教員 (推奨):
備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● Kazuya Kusaka, Daisuke Taniguchi, Takao Hanabusa and Kikuo Tominaga : Effect of sputtering gas pressure and nitrogen concentration on crystal orientation and residual stress in sputtered AlN films, Vacuum, Vol.66, No.3-4, 441-446, 2002.
欧文冊子 ● Kazuya Kusaka, Daisuke Taniguchi, Takao Hanabusa and Kikuo Tominaga : Effect of sputtering gas pressure and nitrogen concentration on crystal orientation and residual stress in sputtered AlN films, Vacuum, Vol.66, No.3-4, 441-446, 2002.

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