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登録内容 (EID=261287)

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種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
招待 (推奨):
審査 (推奨): Peer Review [継承]
カテゴリ (推奨):
共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.大阪府立大学 [継承]
2.徳島大学.工学部.光応用工学科.光機能材料講座 [継承]
著者 (必須): 1. (英) Inoue Naohisa (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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2. (英) Tanahashi K (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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3.森 篤史
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Point defect behavior in growing silicon crystal  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英) Equilibrium concentration of point defects under various conditions in a growing Si crystal is theoretically examined. Equilibrium concentration at the free surface, in the bulk and during the formation of secondary defects, i.e. dislocation loops and voids are considered. We show that equilibrium concentration is not unique during the crystal growth.  (日)    [継承]
キーワード (推奨):
発行所 (推奨):
誌名 (必須): (英) Proceedings of the Kazuza Akadamia Park Forum on Science and Technology Silicon Materials '99 (日) (読)
ISSN (任意):
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(必須):
(必須):
(必須): 31 39 [継承]
都市 (任意): 千葉 (Chiba/[日本国]) [継承]
年月日 (必須): 西暦 1999年 11月 24日 (平成 11年 11月 24日) [継承]
URL (任意):
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PMID (任意):
NAID (任意):
WOS (任意):
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被引用数 (任意):
指導教員 (推奨):
備考 (任意): 1.(英) Kazuza Akadamia Park Forum on Science and Technology Silicon Materials '99, November 24-26, 1999  (日)    [継承]

標準的な表示

和文冊子 ● Naohisa Inoue, K Tanahashi and Atsushi Mori : Point defect behavior in growing silicon crystal, Proceedings of the Kazuza Akadamia Park Forum on Science and Technology Silicon Materials '99, (巻), (号), 31-39, 1999.
欧文冊子 ● Naohisa Inoue, K Tanahashi and Atsushi Mori : Point defect behavior in growing silicon crystal, Proceedings of the Kazuza Akadamia Park Forum on Science and Technology Silicon Materials '99, (巻), (号), 31-39, 1999.

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