『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
ID: Pass:

登録内容 (EID=261285)

EID=261285EID:261285, Map:0, LastModified:2013年4月3日(水) 22:07:16, Operator:[森 篤史], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[森 篤史], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
招待 (推奨):
審査 (推奨): Peer Review [継承]
カテゴリ (推奨):
共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.大阪府立大学 [継承]
2.徳島大学.工学部.光応用工学科.光機能材料講座 [継承]
著者 (必須): 1. (英) Yamanaka Yoichiro (日) 山中 陽一郎 (読) やまなか よういちろう
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
2. (英) Tanahashi Katsuto (日) 棚橋 克人 (読) たなはし かつと
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
3. (英) Mikayama Takeshi (日) 三箇山 毅 (読) みかやま たけし
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
4. (英) Inoue Naohisa (日) 井上 直久 (読) いのうえ なおひさ
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
5.森 篤史
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
題名 (必須): (英) Nucleation of void defects in CZ silicon  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意):
キーワード (推奨):
発行所 (推奨):
誌名 (必須): (英) Proceedings of Electrochemical Society 2000 Fall Meeting "High Purity Silicon VI" (日) (読)
ISSN (任意):
[継承]
(必須):
(必須): 677 [継承]
(必須): 77 85 [継承]
都市 (任意): フェニックス (Phoenix/[アメリカ合衆国]) [継承]
年月日 (必須): 西暦 2000年 0月 末日 (平成 12年 0月 末日) [継承]
URL (任意):
DOI (任意):
PMID (任意):
NAID (任意):
WOS (任意):
Scopus (任意):
評価値 (任意):
被引用数 (任意):
指導教員 (推奨):
備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● Yoichiro Yamanaka, Katsuto Tanahashi, Takeshi Mikayama, Naohisa Inoue and Atsushi Mori : Nucleation of void defects in CZ silicon, Proceedings of Electrochemical Society 2000 Fall Meeting "High Purity Silicon VI", (巻), No.677, 77-85, 2000.
欧文冊子 ● Yoichiro Yamanaka, Katsuto Tanahashi, Takeshi Mikayama, Naohisa Inoue and Atsushi Mori : Nucleation of void defects in CZ silicon, Proceedings of Electrochemical Society 2000 Fall Meeting "High Purity Silicon VI", (巻), No.677, 77-85, 2000.

関連情報

Number of session users = 2, LA = 2.03, Max(EID) = 376482, Max(EOID) = 1008285.