『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
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登録内容 (EID=261256)

EID=261256EID:261256, Map:0, LastModified:2013年4月3日(水) 18:26:13, Operator:[森 篤史], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[森 篤史], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 国際会議 [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
招待 (推奨):
審査 (推奨): Peer Review [継承]
カテゴリ (推奨): 研究 [継承]
共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.大阪府立大学 [継承]
2.徳島大学.工学部.光応用工学科.光機能材料講座 [継承]
著者 (必須): 1. (英) Natsume Arata (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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2. (英) Inoue Naohisa (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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3. (英) Tanahashi Katuto (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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4.森 篤史
役割 (任意): (英)   (日) 議論   [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Dependence of temperature gradient on growth rate in CZ silicon  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意):
キーワード (推奨):
発行所 (推奨):
誌名 (必須): (英) Twelfth American Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ACCGE-12) (日) (読)
ISSN (任意):
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都市 (必須): (英) Vail, Colorado, USA (日) (読) [継承]
年月日 (必須): 西暦 2000年 8月 13日 (平成 12年 8月 13日) [継承]
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WOS (任意):
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指導教員 (推奨):
備考 (任意): 1.(英) Twelfth American Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ACCGE-12), August 13-18, 2000  (日)    [継承]

標準的な表示

和文冊子 ● Arata Natsume, Naohisa Inoue, Katuto Tanahashi and Atsushi Mori : Dependence of temperature gradient on growth rate in CZ silicon, Twelfth American Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ACCGE-12), (巻), (号), (頁), Vail, Colorado, USA, Aug. 2000.
欧文冊子 ● Arata Natsume, Naohisa Inoue, Katuto Tanahashi and Atsushi Mori : Dependence of temperature gradient on growth rate in CZ silicon, Twelfth American Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ACCGE-12), (巻), (号), (頁), Vail, Colorado, USA, Aug. 2000.

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