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登録内容 (EID=261179)

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種別 (必須): 国際会議 [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
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組織 (推奨): 1.大阪府立大学 [継承]
2.徳島大学.工学部.光応用工学科.光機能材料講座 [継承]
著者 (必須): 1. (英) Yamanaka Yoichiro (日) 山中 陽一郎 (読) やまなか よういちろう
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2. (英) Tanahashi Katsuto (日) 棚橋 克人 (読) たなはし かつと
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3. (英) Mikayama Takeshi (日) 三箇山 毅 (読) みかやま たけし
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4. (英) Inoue Naohisa (日) 井上 直久 (読) いのうえ なおひさ
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5.森 篤史
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題名 (必須): (英) Nucleation of void defects in CZ silicon  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英) Void defects in CZ silicon provoke breakdown of thermal oxide in the MOS structures. Voids have been suggested to form through homogeneous nucleation of supersaturated vacancies. But there are problems with this model. We have proposed the homogeneous nucleation model previously. Recently, carbon was detected around the voids. In this paper we discuss the nucleation mechanism in detail and suggest carbon as a candidate for the heterogeneous nucleation site.  (日)    [継承]
キーワード (推奨):
発行所 (推奨):
誌名 (必須): (英) Electrochemical Society 2000 Fall Meeting (日) (読)
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都市 (必須): フェニックス (Phoenix/[アメリカ合衆国]) [継承]
年月日 (必須): 西暦 2000年 10月 22日 (平成 12年 10月 22日) [継承]
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備考 (任意): 1.(英) Sixth Symposium on High Purity Silicon, 198th Meeting of the Electrochemical Society, October 22-27, 2000  (日)    [継承]
2.(英)   (日) 発表日不明に付き,仮に会議初日を入力.   [継承]

標準的な表示

和文冊子 ● Yoichiro Yamanaka, Katsuto Tanahashi, Takeshi Mikayama, Naohisa Inoue and Atsushi Mori : Nucleation of void defects in CZ silicon, Electrochemical Society 2000 Fall Meeting, (巻), (号), (頁), Phoenix, Oct. 2000.
欧文冊子 ● Yoichiro Yamanaka, Katsuto Tanahashi, Takeshi Mikayama, Naohisa Inoue and Atsushi Mori : Nucleation of void defects in CZ silicon, Electrochemical Society 2000 Fall Meeting, (巻), (号), (頁), Phoenix, Oct. 2000.

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