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登録内容 (EID=260435)

EID=260435EID:260435, Map:0, LastModified:2018年2月28日(水) 11:56:17, Operator:[三木 ちひろ], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[西野 克志], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 国内講演発表 [継承]
言語 (必須): 日本語 [継承]
招待 (推奨):
審査 (推奨):
カテゴリ (推奨): 研究 [継承]
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学究種別 (推奨):
組織 (推奨):
著者 (必須): 1.西野 克志 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
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2. (英) YUICHI HIWASA (日) 日和佐 悠一 (読) ひわさ ゆういち
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学籍番号 (推奨): **** [ユーザ]
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3. (英) SHOTA IWAMOTO (日) 岩元 翔太 (読) いわもと しょうた
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学籍番号 (推奨): **** [ユーザ]
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4. (英) KOTARO HAYASHI (日) 林 浩太郎 (読) はやし こうたろう
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学籍番号 (推奨): **** [ユーザ]
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5. (英) MASASHI TSUKIHARA (日) 月原 政志 (読) つきはら まさし
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題名 (必須): (英)   (日) 昇華法による荒れたSiC基板上へのAlN成長   [継承]
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発行所 (推奨):
誌名 (必須): (英) (日) 第60回応用物理学会春季学術講演会 (読)
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年月日 (必須): 西暦 2013年 3月 27日 (平成 25年 3月 27日) [継承]
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和文冊子 ● 西野 克志, 日和佐 悠一, 岩元 翔太, 林 浩太郎, 月原 政志 : 昇華法による荒れたSiC基板上へのAlN成長, 第60回応用物理学会春季学術講演会, 2013年3月.
欧文冊子 ● Katsushi Nishino, HIWASA YUICHI, IWAMOTO SHOTA, HAYASHI KOTARO and TSUKIHARA MASASHI : 昇華法による荒れたSiC基板上へのAlN成長, 第60回応用物理学会春季学術講演会, March 2013.

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Number of session users = 0, LA = 0.69, Max(EID) = 372616, Max(EOID) = 996877.