『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
ID: Pass:

登録内容 (EID=260433)

EID=260433EID:260433, Map:0, LastModified:2018年3月1日(木) 10:35:19, Operator:[三木 ちひろ], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[西野 克志], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 国際会議 [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
招待 (推奨):
審査 (推奨): Peer Review [継承]
カテゴリ (推奨): 研究 [継承]
共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨): 学士課程学生による研究報告 [継承]
組織 (推奨): 1.徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース (2006年4月1日〜) [継承]
著者 (必須): 1. (英) HIWASA YUICHI (日) 日和佐 悠一 (読) ひわさ ゆういち
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨): **** [ユーザ]
[継承]
2. (英) IWAMOTO SHOTA (日) 岩元 翔太 (読) いわもと しょうた
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨): **** [ユーザ]
[継承]
3. (英) HAYASHI KOTARO (日) 林 浩太郎 (読) はやし こうたろう
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨): **** [ユーザ]
[継承]
4.西野 克志 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
5. (英) TSUKIHARA MASASHI (日) 月原 政志 (読) つきはら まさし
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
題名 (必須): (英) Self-separation of sublimation-grown AlN on rough SiC substrate  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意):
キーワード (推奨):
発行所 (推奨):
誌名 (必須): (英) 5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Application for Nitrides and Nanomaterials (日) (読)
ISSN (任意):
[継承]
(必須): [継承]
(必須): [継承]
(必須): [継承]
都市 (必須):
年月日 (必須): 西暦 2013年 1月 28日 (平成 25年 1月 28日) [継承]
URL (任意):
DOI (任意):
PMID (任意):
NAID (任意):
WOS (任意):
Scopus (任意):
評価値 (任意):
被引用数 (任意):
指導教員 (推奨):
備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● YUICHI HIWASA, SHOTA IWAMOTO, KOTARO HAYASHI, Katsushi Nishino and MASASHI TSUKIHARA : Self-separation of sublimation-grown AlN on rough SiC substrate, 5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Application for Nitrides and Nanomaterials, (都市), Jan. 2013.
欧文冊子 ● YUICHI HIWASA, SHOTA IWAMOTO, KOTARO HAYASHI, Katsushi Nishino and MASASHI TSUKIHARA : Self-separation of sublimation-grown AlN on rough SiC substrate, 5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Application for Nitrides and Nanomaterials, (都市), Jan. 2013.

関連情報

Number of session users = 2, LA = 1.13, Max(EID) = 372557, Max(EOID) = 996428.