『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
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登録内容 (EID=260432)

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種別 (必須): 国際会議 [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
招待 (推奨):
審査 (推奨): Peer Review [継承]
カテゴリ (推奨): 研究 [継承]
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学究種別 (推奨):
組織 (推奨):
著者 (必須): 1.西野 克志 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
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学籍番号 (推奨):
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2. (英) Nakauchi Jun (日) 中内 潤 (読) なかうち じゅん
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学籍番号 (推奨): **** [ユーザ]
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3. (英) Hayashi Kotaro (日) 林 浩太郎 (読) はやし こうたろう
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学籍番号 (推奨): **** [ユーザ]
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4. (英) Tsukihara Masashi (日) 月原 政志 (読) つきはら まさし
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学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Self-Separation of Sublimation-Grown AlN with AlSiN Buffer Layer  (日)    [継承]
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発行所 (推奨):
誌名 (必須): (英) International Workshop on Nitride Semiconductors (日) (読)
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都市 (必須): 札幌 (Sapporo/[日本国]) [継承]
年月日 (必須): 西暦 2012年 10月 14日 (平成 24年 10月 14日) [継承]
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和文冊子 ● Katsushi Nishino, Jun Nakauchi, Kotaro Hayashi and Masashi Tsukihara : Self-Separation of Sublimation-Grown AlN with AlSiN Buffer Layer, International Workshop on Nitride Semiconductors, Sapporo, Oct. 2012.
欧文冊子 ● Katsushi Nishino, Jun Nakauchi, Kotaro Hayashi and Masashi Tsukihara : Self-Separation of Sublimation-Grown AlN with AlSiN Buffer Layer, International Workshop on Nitride Semiconductors, Sapporo, Oct. 2012.

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