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登録内容 (EID=25922)

EID=25922EID:25922, Map:0, LastModified:2018年12月3日(月) 18:00:23, Operator:[大家 隆弘], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[森 篤史], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
招待 (推奨):
審査 (推奨): Peer Review [継承]
カテゴリ (推奨): 研究 [継承]
共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.大阪府立大学 [継承]
2.徳島大学.工学部.光応用工学科.光機能材料講座 [継承]
著者 (必須): 1. (英) Natsume Arata (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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2. (英) Inoue Naohisa (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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3. (英) Tanahashi Katuto (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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4.森 篤史
役割 (任意): (英)   (日) 議論   [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Dependence of temperature gradient on growth rate in CZ silicon  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英) The dependence of temperature gradient in CZ-Si crystal on the growth rate is examined by analyzing the experimental result where growth rate alone was varied without changing any other conditions. Unreported data are reproduced using the heat balance equation at the interface. It is shown that the temperature gradient increases linearly with the growth rate. The mechanism is discussed in terms of the heat flow and the interface shape.  (日)    [継承]
キーワード (推奨):
発行所 (推奨): Elsevier Science [継承]
誌名 (必須): Journal of Crystal Growth ([Elsevier])
(pISSN: 0022-0248)

ISSN (任意): 0022-0248
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
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(必須): 225 [継承]
(必須): 2-4 [継承]
(必須): 221 224 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 2001年 5月 1日 (平成 13年 5月 1日) [継承]
URL (任意): http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022024801008375 [継承]
DOI (任意): 10.1016/S0022-0248(01)00837-5    (→Scopusで検索) [継承]
PMID (任意):
NAID (任意):
WOS (任意):
Scopus (任意):
評価値 (任意):
被引用数 (任意):
指導教員 (推奨):
備考 (任意): 1.(英) TWELFTH AMERICAN CONFERENCE ON CRYSTAL GROWTH AND EPITAXY (ACCGE-12): Vail, Colorado, USA, 13 18 August 2000  (日)    [継承]

標準的な表示

和文冊子 ● Arata Natsume, Naohisa Inoue, Katuto Tanahashi and Atsushi Mori : Dependence of temperature gradient on growth rate in CZ silicon, Journal of Crystal Growth, Vol.225, No.2-4, 221-224, 2001.
欧文冊子 ● Arata Natsume, Naohisa Inoue, Katuto Tanahashi and Atsushi Mori : Dependence of temperature gradient on growth rate in CZ silicon, Journal of Crystal Growth, Vol.225, No.2-4, 221-224, 2001.

関連情報

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