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登録内容 (EID=24615)

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種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
招待 (推奨):
審査 (推奨): Peer Review [継承]
カテゴリ (推奨):
共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
2.徳島大学.工学部.化学応用工学科.化学プロセス工学講座 [継承]
著者 (必須): 1.富永 喜久雄
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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2. (英) Takao Toshimasa (日) 高尾 俊公 (読) たかお としまさ
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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3. (英) Fukushima Akihiko (日) 福島 明彦 (読) ふくしま あきひこ
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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4.森賀 俊広 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.応用化学系.化学プロセス工学分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.応用化学システムコース.化学プロセス工学講座])
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学籍番号 (推奨):
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5.中林 一朗
役割 (任意):
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学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Amorphous ZnO-In2O3 transparent conductive films by simultaneous sputtering method of ZnO and In2O3 targets  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英)   (日) 2元系のZnO-In2O3をDC対向ターゲット式スパッタ法で作製した.この膜中にAl酸化物やSn酸化物を添加したときの影響について調べた.Al酸化物添加では低抵抗のアモルファス膜が250℃以下で作製できた.最小抵抗率は4x10^-4Ωcmである.Sn酸化物の場合はこれより幾分高い値であった..AlやSnがドナーとして働いていないことを示す.ホモロガス結晶相の膜の場合も,AlやSnの酸化物の添加は電気特性への影響はほとんど見られない.   [継承]
キーワード (推奨): 1. (英) HOMOLOGOUS COMPOUNDS (日) (読) [継承]
2. (英) ZINC-OXIDE (日) (読) [継承]
3. (英) SYSTEM (日) (読) [継承]
発行所 (推奨): Elsevier Science [継承]
誌名 (必須): Vacuum ([Elsevier Science])
(pISSN: 0042-207X, eISSN: 1879-2715)

ISSN (任意): 0042-207X
ISSN: 0042-207X (pISSN: 0042-207X, eISSN: 1879-2715)
Title: Vacuum
Title(ISO): Vacuum
Publisher: Elsevier Ltd.
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(必須): 66 [継承]
(必須): 3-4 [継承]
(必須): 505 509 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 2002年 5月 1日 (平成 14年 5月 1日) [継承]
URL (任意): http://ci.nii.ac.jp/naid/80015451739/ [継承]
DOI (任意): 10.1016/S0042-207X(02)00123-9    (→Scopusで検索) [継承]
PMID (任意):
NAID (任意): 80015451739 [継承]
WOS (任意): 000177582000053 [継承]
Scopus (任意):
評価値 (任意):
被引用数 (任意):
指導教員 (推奨):
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標準的な表示

和文冊子 ● Kikuo Tominaga, Toshimasa Takao, Akihiko Fukushima, Toshihiro Moriga and Ichiro Nakabayashi : Amorphous ZnO-In2O3 transparent conductive films by simultaneous sputtering method of ZnO and In2O3 targets, Vacuum, Vol.66, No.3-4, 505-509, 2002.
欧文冊子 ● Kikuo Tominaga, Toshimasa Takao, Akihiko Fukushima, Toshihiro Moriga and Ichiro Nakabayashi : Amorphous ZnO-In2O3 transparent conductive films by simultaneous sputtering method of ZnO and In2O3 targets, Vacuum, Vol.66, No.3-4, 505-509, 2002.

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