『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
ID: Pass:

登録内容 (EID=24613)

EID=24613EID:24613, Map:0, LastModified:2017年12月23日(土) 16:46:38, Operator:[大家 隆弘], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[日下 一也], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
招待 (推奨):
審査 (推奨): Peer Review [継承]
カテゴリ (推奨): 研究 [継承]
共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
2.徳島大学.工学部.機械工学科.生産システム講座 [継承]
著者 (必須): 1. (英) Kikuma Takuya (日) 喜久間 拓也 (読) きくま たくや
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
2.富永 喜久雄
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
3. (英) Furutani Kazuo (日) 古谷 一男 (読) ふるたに かずお
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
4.日下 一也 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.機械科学系.生産工学分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.機械科学コース.生産工学講座])
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
5.英 崇夫
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
6.向井 孝志 ([日亜化学工業株式会社])
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
題名 (必須): (英) GaN films deposited by planar magnetron sputtering  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英) The crystal orientation of GaN films deposited on fused quartz substrates by rf planar magnetron sputtering using a mesh to guard against plasma exposure was investigated by X-ray diffraction. Sample films were deposited at constant N2 gas pressure and input power at a range of substrate temperatures between 84℃ and 600℃. It was found that GaN films with good crystal orientation can be produced by rf sputtering with the c-axis of GaN crystals oriented normal to the substrate surface in almost all films produced. The crystal 00·2 orientation was good at substrate temperatures exceeding 300℃, however, films deposited at 600℃ peeled from the substrate. The fine mesh installed to protect the film from exposure to plasma was found to be very useful for depositing films with a good crystal orientation of 00·2, and the best crystal orientation was realized for a film deposited by sputtering with a target to mesh separation of 30 mm.  (日) プラズマ防止網を使ったRFプレーナマグネトロンスパッタリングにより溶融石英基板上に堆積したGaN膜の結晶配向性を調べた.一定のN2ガス圧,一定の供給電力,84℃と600℃の間のいろいろな基板温度で試料の膜を堆積した.良いc軸配向性を有するGaN膜がRFスパッタリングにより生成された.また,生成したほとんどすべての膜において,基板面法線方向にGaN結晶のc軸が配向した. 300℃以上の基板温度で堆積した膜の結晶配向性は良いけれども,600℃で堆積した膜は基板から剥離した.プラズマ露光から膜を守るために取り付けた目の細かい網は,結晶配向性の良い膜を堆積させるのにたいへん有効であることが分かった.そして,ターゲットから30mmの距離に網を設置してスパッタリング生成した膜の結晶配向性が最も良かった.   [継承]
キーワード (推奨): 1. (英) sputtered GaN film (日) (読) [継承]
2. (英) sputtering (日) (読) [継承]
3. (英) DIMETHYLHYDRAZINE (日) (読) [継承]
4. (英) HETEROSTRUCTURE (日) (読) [継承]
5. (英) DIODES (日) (読) [継承]
発行所 (推奨):
誌名 (必須): Vacuum ([Elsevier Science])
(pISSN: 0042-207X, eISSN: 1879-2715)

ISSN (任意): 0042-207X
ISSN: 0042-207X (pISSN: 0042-207X, eISSN: 1879-2715)
Title: Vacuum
Title(ISO): Vacuum
Publisher: Elsevier Ltd.
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
[継承]
[継承]
(必須): 66 [継承]
(必須): 3-4 [継承]
(必須): 233 237 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 2002年 8月 19日 (平成 14年 8月 19日) [継承]
URL (任意): http://www.sciencedirect.com/science?_ob=ArticleURL&_udi=B6TW4-455VK47-8&_coverDate=08%2F19%2F2002&_alid=193594923&_rdoc=1&_fmt=&_orig=search&_qd=1&_cdi=5552&_sort=d&view=c&_acct=C000008258&_version=1&_urlVersion=0&_userid=106892&md5=997fa1e1602235d1481268c861128f34 [継承]
DOI (任意): 10.1016/S0042-207X(02)00147-1    (→Scopusで検索) [継承]
PMID (任意):
NAID (任意):
WOS (任意): 000177582000008 [継承]
Scopus (任意):
評価値 (任意):
被引用数 (任意):
指導教員 (推奨):
備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● Takuya Kikuma, Kikuo Tominaga, Kazuo Furutani, Kazuya Kusaka, Takao Hanabusa and Takashi Mukai : GaN films deposited by planar magnetron sputtering, Vacuum, Vol.66, No.3-4, 233-237, 2002.
欧文冊子 ● Takuya Kikuma, Kikuo Tominaga, Kazuo Furutani, Kazuya Kusaka, Takao Hanabusa and Takashi Mukai : GaN films deposited by planar magnetron sputtering, Vacuum, Vol.66, No.3-4, 233-237, 2002.

関連情報

Number of session users = 0, LA = 1.66, Max(EID) = 360929, Max(EOID) = 966657.