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登録内容 (EID=24188)

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種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
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組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
著者 (必須): 1. (英) Wang Tao (日) (読)
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2. (英) Liu Yu-Huai (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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3. (英) Lee Young-Bae (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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4. (英) Izumi Yuji (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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5.敖 金平 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
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学籍番号 (推奨):
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6. (英) Bai Jie (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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7. (英) Li Hong-Dong (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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8.酒井 士郎
役割 (任意): (英)   (日) AlGaNの結晶性   [継承]
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学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Fabrication of high performance of AlGaN/GaN-based UV light-emitting diodes  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英)   (日) 明るく発光するAlGaN/GaN系のLEDを作った.品質の上回るAlGaN/GaN を作ることが重要である.   [継承]
キーワード (推奨): 1. (英) crystal structure (日) (読) [継承]
2. (英) nitrides (日) (読) [継承]
3. (英) sapphire (日) (読) [継承]
4. (英) light-emitting diode (日) (読) [継承]
発行所 (推奨):
誌名 (必須): Journal of Crystal Growth ([Elsevier])
(pISSN: 0022-0248)

ISSN (任意): 0022-0248
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
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(必須): 235 [継承]
(必須): 1 [継承]
(必須): 177 182 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 2002年 2月 1日 (平成 14年 2月 1日) [継承]
URL (任意): http://ci.nii.ac.jp/naid/80015150402/ [継承]
DOI (任意): 10.1016/S0022-0248(01)01918-2    (→Scopusで検索) [継承]
PMID (任意):
NAID (任意): 80015150402 [継承]
WOS (任意): 000173742600028 [継承]
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標準的な表示

和文冊子 ● Tao Wang, Yu-Huai Liu, Young-Bae Lee, Yuji Izumi, Jin-Ping Ao, Jie Bai, Hong-Dong Li and Shiro Sakai : Fabrication of high performance of AlGaN/GaN-based UV light-emitting diodes, Journal of Crystal Growth, Vol.235, No.1, 177-182, 2002.
欧文冊子 ● Tao Wang, Yu-Huai Liu, Young-Bae Lee, Yuji Izumi, Jin-Ping Ao, Jie Bai, Hong-Dong Li and Shiro Sakai : Fabrication of high performance of AlGaN/GaN-based UV light-emitting diodes, Journal of Crystal Growth, Vol.235, No.1, 177-182, 2002.

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