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登録内容 (EID=24178)

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種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
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学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
著者 (必須): 1.西野 克志 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
役割 (任意): (英)   (日) 実験,実験全般の指導および結果の検討   [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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2. (英) Kikuta Daigo (日) 菊田 大悟 (読) きくた だいご
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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3.酒井 士郎
役割 (任意): (英)   (日) やり方の指導   [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Bulk GaN growth by direct synthesis method  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英)   (日) 直接合成法によるバルクGaNの結晶成長を行った.サファイア基板上にMOCVD法により薄膜GaNを成長したものを基板に用いると平坦な表面の厚膜GaNが得られた.サファイア上に直接成長を行うと表面は荒れ結晶性の良くないGaNが成長したが,直接合成法でもバッファ層を導入することにより表面が平坦で結晶性の良い厚膜GaNを成長することに成功した.   [継承]
キーワード (推奨): 1. (英) single crystal growth (日) (読) [継承]
2. (英) nitrides (日) (読) [継承]
3. (英) semiconducting gallium compounds (日) (読) [継承]
4. (英) VAPOR-PHASE EPITAXY (日) (読) [継承]
5. (英) SURFACE-MORPHOLOGY (日) (読) [継承]
6. (英) SUBLIMATION METHOD (日) (読) [継承]
7. (英) HYDRIDE (日) (読) [継承]
8. (英) SUBSTRATE (日) (読) [継承]
発行所 (推奨):
誌名 (必須): Journal of Crystal Growth ([Elsevier])
(pISSN: 0022-0248)

ISSN (任意): 0022-0248
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
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(必須): 237-239 [継承]
(必須): 0 [継承]
(必須): 922 925 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 2002年 4月 1日 (平成 14年 4月 1日) [継承]
URL (任意):
DOI (任意): 10.1016/S0022-0248(01)02079-6    (→Scopusで検索) [継承]
PMID (任意):
NAID (任意):
WOS (任意): 000176512900003 [継承]
Scopus (任意):
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被引用数 (任意):
指導教員 (推奨):
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標準的な表示

和文冊子 ● Katsushi Nishino, Daigo Kikuta and Shiro Sakai : Bulk GaN growth by direct synthesis method, Journal of Crystal Growth, Vol.237-239, No.0, 922-925, 2002.
欧文冊子 ● Katsushi Nishino, Daigo Kikuta and Shiro Sakai : Bulk GaN growth by direct synthesis method, Journal of Crystal Growth, Vol.237-239, No.0, 922-925, 2002.

関連情報

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