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種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
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組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
著者 (必須): 1.酒井 士郎
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2. (英) Kurai Satoshi (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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3.西野 克志 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
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学籍番号 (推奨):
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4. (英) Wada K (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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5. (英) Sato Hisao (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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6.直井 美貴 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所]/[徳島大学.創成科学研究科.理工学専攻.電気電子システムコース(創成科学研究科).物性デバイス講座(創成科学研究科)]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座]/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース.物性デバイス講座]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座])
役割 (任意): (英)   (日) MOCVD成長,光学測定実験,考察   [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Growth of GaN by Sublimation Technique and Homoepitaxial Growth by MOCVD  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英)   (日) 昇華法によるバルクGaNおよび有機金属気相成長法によるホモエピタキシャル成長について報告している.昇華法における原料粉は,多種類のガリウム,窒素および水素化物から構成される化合物であることを示した.また,有機金属気相成長法におえる核発生制御手法について検討した.六角形柱状結晶が選択的に形成され,本手法がデバイスプロセスに応用できることを示した.   [継承]
キーワード (推奨):
発行所 (推奨):
誌名 (必須): (英) Material Research Society Symposium Proc. (日) (読)
ISSN (任意):
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(必須): 449 [継承]
(必須):
(必須): 15 22 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 1997年 4月 1日 (平成 9年 4月 1日) [継承]
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和文冊子 ● Shiro Sakai, Satoshi Kurai, Katsushi Nishino, K Wada, Hisao Sato and Yoshiki Naoi : Growth of GaN by Sublimation Technique and Homoepitaxial Growth by MOCVD, Material Research Society Symposium Proc., Vol.449, (号), 15-22, 1997.
欧文冊子 ● Shiro Sakai, Satoshi Kurai, Katsushi Nishino, K Wada, Hisao Sato and Yoshiki Naoi : Growth of GaN by Sublimation Technique and Homoepitaxial Growth by MOCVD, Material Research Society Symposium Proc., Vol.449, (号), 15-22, 1997.

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