『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
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登録内容 (EID=23761)

EID=23761EID:23761, Map:0, LastModified:2002年2月7日(木) 09:23:58, Operator:[酒井 士郎], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[酒井 士郎], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
種別 (必須): 特許 [継承]
出願国 (必須):
発明者 (必須): 1.酒井 士郎
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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出願人 (推奨):
名称 (必須): (英)   (日) 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法(329-11)   [継承]
要約 (任意):
キーワード (推奨):
出願 (必須): 2000-227273
出願年月日 (必須): 西暦 2000年 7月 27日 (平成 12年 7月 27日) [継承]
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開示 (必須):
番号 (必須):
年月日 (必須):
備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● 酒井 士郎 : 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法(329-11), 特願2000-227273 (2000年7月), (開示), (番号) ((年月日)).
欧文冊子 ● Shiro Sakai : 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法(329-11), 2000-227273 (July 2000), (開示), (番号) ((年月日)).

関連情報

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