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登録内容 (EID=23742)

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種別 (必須): 学術レター (ショートペーパー) [継承]
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組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
著者 (必須): 1. (英) Kurai Satoshi (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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2.西野 克志 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
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学籍番号 (推奨):
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3.酒井 士郎
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学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Nucleation Control in the Growth of Bulk GaN by Sublimation Method  (日)    [継承]
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キーワード (推奨):
発行所 (推奨): 応用物理学会 [継承]
誌名 (必須): Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters) ([応用物理学会])
ISSN (任意):
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(必須): 36 [継承]
(必須): 2B [継承]
(必須): 184 186 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 1997年 2月 1日 (平成 9年 2月 1日) [継承]
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和文冊子 ● Satoshi Kurai, Katsushi Nishino and Shiro Sakai : Nucleation Control in the Growth of Bulk GaN by Sublimation Method, Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters), Vol.36, No.2B, 184-186, 1997.
欧文冊子 ● Satoshi Kurai, Katsushi Nishino and Shiro Sakai : Nucleation Control in the Growth of Bulk GaN by Sublimation Method, Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters), Vol.36, No.2B, 184-186, 1997.

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